集成电路芯片封装技术.pdfVIP

题型填空20题40分简答7题35分论述2题25分

第一章集成电路芯片封装技术

1.集成电路的工艺流程：设计-单晶材料-芯片制造-封装-检测

2..集成电路芯片狭义封装是指利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其

他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘

介质灌封固定，构成整体结构的工艺。

3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④

结构保护与支持。

4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，

可靠性和成本目标。

5.集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、

主电路板（Board）、完整电子产品。

封装工程的技术的技术层次？第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电

路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺，使之

成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次，将

数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次，

将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一

个部件或子系统的工艺。第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子产品的

工艺过程。

6.封装的分类，按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片

封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主

的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两

大类。依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，

底部引脚四种。

7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子材料

8.集成电路的发展方向主要表现在以下几个方面？1芯片尺寸变得越来越大2工

作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多

对封装的要求，1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高

密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性（在书12-13页，论述题要

适当扩充）

第二章封装工艺流程

1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，成型技术之前的工艺步骤称为前段操

作，在成型之后的工艺步骤称为后段操作，前后段操作的区分标准在于对环境洁

净度的要求不同

2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成

型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序

3.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进

行背面磨削。

4.减薄划片：在减薄之前，先用机械或化学的方式切割处切口，然后用磨削方法

减薄到一定厚度之后采用ADPE腐蚀技术去除掉剩余加工量实现裸芯片的自动分

离。

5.芯片贴装的方式四种：共晶粘贴法，焊接粘贴法，导电胶粘贴法，和玻璃胶粘

贴法。

6.芯片互连：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属布线焊区相连

接，只有实现芯片与封装结构的电路连接才能发挥已有的功能。

7.芯片互连常见的方法有，打线键合，载带自动键合（TAB）和倒装芯片键合。

8.打线键合（WB）：将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板

的焊垫上形成电路互连。打线键合技术有超声

波键合、热压键合、热超声波键合。

载带自动键合（TAB）：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属

布线焊区用具有引线图形金属箔丝连接的技术工艺。

倒装芯片键合（FCB）：芯片面朝下，芯片焊区与基板焊区直接互连的一种方

法。

9.打线键合技术有，超声波键合，热压键合，热超声波键合。

10打线键合的材料主要是Al和Au。

11.TAB的关键技术：1芯片凸点制作技术2TAB载带制作技术3载带引线与芯片

凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。

12.芯片上的凸点，实际上包括凸点及处在凸点和铝电极之间的多层金属膜

(UnderBumpMetallurgy)，一般称为凸点下金属层，主要起到粘附和扩散阻挡

的作用

13.凸点芯片的制作工艺主要有蒸发溅射法、电镀法、置球与模板印刷法。

第三章厚/薄膜技术

1.厚薄膜技术的异同：

两者主要的区别包括：1.原材料不同：厚膜工艺需要制作有效物质的浆

料，需要掺杂其他物质以保