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数字CMOS集成电路设计基础

2.1.1二极管静态和动态特性

2.1.1二极管静态与动态特性

二极管性能简要回顾

每个MOS管内含有一定数量的反向偏置二极管。

这些寄生元件形成的与电压有关的

电容在MOS数字逻辑门的开关特性

中起着重要的作用。

pn

二极管也用来保护IC的输入器件以

抗静电荷。

2.1.1二极管静态与动态特性

二极管性能简要回顾

pn结二极管是最简单的半导体器件。内建电势:

热电势:

2.1.1二极管静态与动态特性

二极管性能简要回顾

电流驱动

电荷密度

零偏置的突变pn结

电场

静电势

2.1.1二极管静态与动态特性

二极管静态特性

加一个正向电压V——将

D

p区的电势相对于n区升高。外

加电势降低势垒,扩散电流超

过漂移电流使流过pn结的可动

过剩载流子载流子电流增加。这些载流子

穿过耗尽区注入中性的n区和p

区,在那里它们变成了少子。

在中性区不存在电位梯度

过剩载流子

的假设条件下,由于存在浓度

梯度,这些少子将向这些区域

中扩散直到与多子重新复合。

其表现出来的结果是电流从p

区向n区流过二极管,此时该

正偏置情况下二极管称为处于正偏置状态。

2.1.1二极管静态与动态特性

二极管静态特性

加一个反向电压V——将

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