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迅维网共享资源常用芯片数据手册.pdf

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    C

    December2001

    6

    0

    6

    P

    FDC606P

    P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

    GeneralDescriptionFeatures

    ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses•–6A,–12V.RDS(ON)=26mΩ@VGS=–4.5V

    Fairchild’slowvoltagePowerTrenchprocess.Ithas

    beenoptimizedforbatterypowermanagementRDS(ON)=35mΩ@VGS=–2.5V

    applications.RDS(ON)=53mΩ@VGS=–1.8V

    Applications•Fastswitchingspeed

    •Batterymanagement•Highperformancetrenchtechnologyforextremely

    •LoadswitchlowRDS(ON)

    •Batterypro

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