光刻技术完整版本.pptxVIP

光刻机简介 ;目录;光刻的基本简介;Lithography=Transferthepatternofcircuitryfromamaskontoawafer.;自动对准系统;;;设备是信息产业的源头：

开发设备、设备制造芯片、芯片构成器件、器件改变世界！

;光刻的一般流程;底膜处理是光刻工艺的第一步，其主要目的是对底膜表面进行清洁处理，并增强其与光刻胶之间的粘附性。;涂胶:在底膜上涂一层粘附良好厚度适当，均匀的光刻胶。一般采用旋转法进行涂胶。;硅片自动输送轨道系统；真空卡盘吸住硅片；胶盘

排气系统；可控旋转马达；给胶管和给胶泵

边缘清洗（去边）;前烘：又称软烘，就是在一定的温度下，使光刻胶膜里面的溶剂缓慢的、充分的逸出来，使光刻胶膜干燥。

;对准：使掩模的图形和硅片上的图形精确套合。

曝光：对光刻胶进行选择性光化学反应，使光刻胶改变在显影液中的溶解性。

通常采用紫外接触曝光法。

;;曝光光源选择;显影：

正胶去曝光部分，负胶去未曝光部分。

部分光刻胶需要超声显影。

显影后检查光刻质量，不合格的返工。;;;坚膜也是一个热处理步骤。

除去显影时胶膜吸收的显影液和水分，改善粘附性，增强胶膜抗腐蚀能力。

时间和温度要适当。

时间短，抗蚀性差，容易掉胶；时间过长，容易开裂。;刻蚀就是将涂胶前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分去除掉，达到将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的。

;刻蚀—湿法刻蚀;;;刻蚀—干法刻蚀;;;;去胶刻蚀完成后去除残留的光刻胶膜，此外刻蚀过程中残留的各种试剂也要清除掉。

;;光刻胶简介;光刻胶的主要技术参数;;;;;;;正型光致抗蚀剂;;DQN基体材料：酚醛树脂;DQN的感光材料：重氮醌;紫外曝光后DQN的光分解反应;光反应前后产物;;;;正胶与负胶性能对比;;光刻掩模;;;;三种方法的比较;掩模材料;;;;;制版的一般工艺;铬版掩模版图形制作;;几种掩膜材料的特性比较;;玻璃衬底的要求;掩模版的质量检测;掩模缺陷的种类;;常见光刻机;;;;样品;光刻与我们