逻辑门与组合逻辑.ppt

关于逻辑门与组合逻辑3.1逻辑门TTL（Transistor-Transistor-Logic）门：用晶体管制作。特点：速度快、负载能力强，功耗较大、集成度低。MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）门：用“金属－氧化物－半导体”绝缘栅场效管制作。特点：集成度高、功耗低，速度较慢、负载能力较弱。实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为逻辑门。按制作材料分为：目前，MOS门电路的性能得到极大的提高，大规模、超大规模集成电路一般采用MOS工艺制造。TTL门CMOS门超大规模MOS集成电路第2页,共30页，星期六，2024年，5月3.1.1简单逻辑门电路简单逻辑门电路指或门、与门及非门电路，也称基本逻辑门。逻辑门由两种MOS管构成：NMOS管、PMOS管NMOS管：NMOS管的符号G栅极D漏极S源极BN衬底栅极加高电平，漏极与源极间导通，D-S相当于接通的开关栅极加低电平，漏极与源极间截止，D-S相当于断开的开关第3页,共30页，星期六，2024年，5月PMOS管：PMOS管的符号G栅极S源极D漏极BN衬底栅极加低电平，源极与漏极间导通，D-S相当于接通的开关栅极加高电平，源极与漏极间截止，D-S相当于断开的开关第4页,共30页，星期六，2024年，5月1.非门电路用NMOS管和PMOS管互补组成的CMOS非门电路。A为输入端，F为输出端。输入为高电平时的等效电路。T6截止，T5导通。结果输出端经T5接“地”，F为低电平。输入为低电平时的等效电路。T5截止，T6导通。结果电源经T6传到输出端，F为高电平。AF0110非门的真值表非门的逻辑表达式非门的逻辑符号第5页,共30页，星期六，2024年，5月2.或门电路CMOS或门电路A=1、B=0时的等效电路非门串联并联或门的真值表或门的逻辑表达式或门的逻辑符号ABF000011101111第6页,共30页，星期六，2024年，5月3.与门电路非门串联并联与门的逻辑符号ABF000010100111与门的真值表与门的逻辑表达式F=AB第7页,共30页，星期六，2024年，5月3.1.2复合逻辑门电路将常用的复合运算制成集成门电路，称为复合逻辑门电路。1.与非门电路与非门的逻辑符号与非门的逻辑表达式ABF001011101110与非门的真值表第8页,共30页，星期六，2024年，5月或非门的逻辑符号或非门的逻辑表达式ABF001010100110或非门的真值表2.或非门电路与或非门的逻辑符号与或非门的逻辑表达式3.与或非门电路第9页,共30页，星期六，2024年，5月4.异或门、同或门同或门逻辑门符号异或门逻辑表达式异或门逻辑门符号同或门逻辑表达式“同或”实际上是“异或”之非，因此，“同或”逻辑也叫“异或非”逻辑，其逻辑功能可用“异或”门和“非”门来实现，故“同或”门电路很少用到。第10页,共30页，星期六，2024年，5月5．三态门三态门有三种输出状态：低阻抗的0、1状态、高阻抗状态。三态门电路三态门逻辑符号三态门真值表EAG1G2F00110010011010高阻态1110高阻态当E=0时，F=A。表示数据可以从输入端传向输出端。当E=1时，无论A为何值，上管和下管均为截止，输出端呈高阻态。输入端与输出端被隔离。三态门通常用于多路数据的