125125单晶硅片 规格说明书.docx

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125x125单晶硅片规格说明书

6inchMono-crystallineWaferspecification

类别 项目

(Sort) (Item)

CrystalType晶体类型Squareside尺寸

规格尺 Diameter(Diagonal)直径寸 ThicknessSpec.厚度

指标/参数/要求 单位

(Uni

Index/Parameter/Request

t)

Mono-crystalline

125*125±0.4 mm

165±0.4 mm

190±10 μm

SquareAngle边缘角度

Growthmethod晶体生长方

ConductivityType导电类

Surfaceorientation晶向

90°±0.3

CZ

P-type/Boron

(100)±1.0°

degre

e

电学性 Etchingpit/位错密度能 Resistivity电阻率

参数 Lifetime 少子寿命

≤1000/cm3

1.0~3.0 Ω*㎝

≥15.0 μs

atoms

Oxygencontent氧含量

≤1×1018

/cm3

Carboncontent碳含量

≤5×1016

/cm3

atoms

Sawmark刀痕

Edgedefect(Depth)崩边深度

外观质 Edgedefect(Length)崩量 边长度

指标 TTV(5point)Warp.弯曲度

SurfaceQuality表面质量坑

≤20 μm

≤0.3 mm

≤1 mm

≤25 μm

≤30 μm

晶片无裂纹、孔洞和明显刀痕及凹

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