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125x125单晶硅片规格说明书
6inchMono-crystallineWaferspecification
类别 项目
(Sort) (Item)
CrystalType晶体类型Squareside尺寸
规格尺 Diameter(Diagonal)直径寸 ThicknessSpec.厚度
指标/参数/要求 单位
(Uni
Index/Parameter/Request
t)
Mono-crystalline
125*125±0.4 mm
165±0.4 mm
190±10 μm
SquareAngle边缘角度
Growthmethod晶体生长方
式
ConductivityType导电类
型
Surfaceorientation晶向
90°±0.3
CZ
P-type/Boron
(100)±1.0°
degre
e
电学性 Etchingpit/位错密度能 Resistivity电阻率
参数 Lifetime 少子寿命
≤1000/cm3
1.0~3.0 Ω*㎝
≥15.0 μs
atoms
Oxygencontent氧含量
≤1×1018
/cm3
Carboncontent碳含量
≤5×1016
/cm3
atoms
Sawmark刀痕
Edgedefect(Depth)崩边深度
外观质 Edgedefect(Length)崩量 边长度
指标 TTV(5point)Warp.弯曲度
SurfaceQuality表面质量坑
≤20 μm
≤0.3 mm
≤1 mm
≤25 μm
≤30 μm
晶片无裂纹、孔洞和明显刀痕及凹
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