Penryn分析和总结分析和总结.docx

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Penryn

Penryn

Intel基于45纳米技术处理器的开发代号。采用了45纳米高-k制造技术(采用铬合金高-K与金属栅极晶体管设计),并对酷睿微体系结构进行了增强。其中,即将于下半年推出的Penryn家族有6款产品,包括台式机处理器(双核和四核)、移动处理器(双核),以及服务器处理器(双核和四核)。面向更高端服务器多处理系统的处理器目前正在研发之中。双核处理器中的硅核尺寸为107平方毫米,比英特尔目前的65纳米产品小了25%,大约仅为普通邮票的四分之一大小,为添加新的特性、实现更高性能提供了更多自由空间。同时,由于减少了漏电流,因而可以降低功耗,新一代处理器能够以相同甚至更低的功耗运行,全新的特性:快速Raidix-16除法器、增强型虚拟化技术、更大的高速缓存、分离负载高速缓存增强、更高的总线速度、英特尔SSE4指令、超级Shuffle引擎、深层关机技术、增强型动态加速技术、插槽兼容等。这些新特性使得Penryn能在性能、功耗、数字媒体应用。

目录[隐藏]

1Penryn具体参数

2采用了45nm制作工艺

3晶体管数量大提升

4提高产品性能

5最高达6MB的L2二级缓存

6新技术新指令

7关键技术--High--K

8Penryn让迅驰平台性能提升

9参考资料

Penryn-Penryn具体参数

IntelCore2QuadY8XXX(Y指核心代号“Yorkfield”)

低端处理器:

主频2.13GHz(外频266MHz*倍频8)4MLv2缓存FSB1066MHz45nm制程中端处理器:

主频2.33GHz(外频333MHz*倍频7)8MLv2缓存FSB1333MHz(外频333MHz*4四线并发技术)45nm制程

主频2.67GHz(外频333MHz*倍频8)8MLv2缓存FSB1333MHz45nm制程高端处理器:

主频3.0GHz(外频333MHz*倍频9)12MLv2缓存FSB1333MHz45nm制程

主频3.33GHz(外频333MHz*倍频10)12MLv2缓存FSB1333MHz45nm制程至尊版:

主频3.66GHz(外频333MHz*倍频11)12MLv2缓存FSB1333MHz45nm制程

Penryn-采用了45nm制作工艺

高-K金属栅极技术示意图

英特尔45纳米处理器材用量人高-K金属栅极技术,使得晶体管漏电量更低,提高转换速度;晶体管数目大约是65nm技术的两倍,从而将性能和功效提升至新水平。处理器采用45纳米生产工艺制造,有助于提升个人电脑的运算速度,降低耗电量,延长电池续航时间,在保护环境的同时,其更小的体积也使得电脑可以设计得更加时尚、轻巧。

Penryn-晶体管数量大提升

Penryn所需晶原片

英特尔共发布了16款Penryn处理器,主要面向服务器和高端PC。这些产品采用了更先进的45纳米生产工艺,其中最复杂的一款拥有8.2亿个晶体管。英特尔上一代产品主要采用65纳米生产工艺,最复杂的一款处理器拥有5.82亿个晶体管。随着生产工艺的不断提升,英特尔可以在处理器上部署更多晶体管,从而提升处理器性能,并降低生产成本。

Penryn-提高产品性能

英特尔酷睿2微架构的核心架构特性包括:英特尔宽区动态执行:

更宽:一个完整的4道宽超标量流水线可在每时钟周期以恒定速率获取、解码、执行和返回

4条完整的指令,而前一代的英特尔酷睿双核处理器只能处理3条完整的指令。

更深:缓存尺寸大小优化了有效的指令数,允许处理器深入监测程序流以发现能够并行执行的指令。

更快:效率优化过的流水线,通过提高频率同时提高每时钟周期内发布的指令数,改善了非常短且高效的14级流水线的架构的关键路径。

更智能:宏融合将通常使用的指令序列,融合为单条指令以供执行,减少了内部资源需求并且增加了每时钟周期的指令数,这样可以返回5条指令,而以前完成同样的工作只能返回4条指令。

Penryn-最高达6MB的L2二级缓存

移动处理器二级缓存的重要性不言而喻,Penryn处理器把处理器的二级缓存增加到了6MB,更有效地提高了性能。

Intel45nm技术代表了目前最高科技

改变原料

英特尔表示,其新一代处理器已经不再使用铅作为原料,预计到2008年将停止使用卤素。通过这些举措,英特尔处理器对于环境的危害将大大降低。英特尔新型处理器的一个最大特点是采用了铪,可以有效地解决电泄漏的问题,使处理器功耗效率提升了30%。随着晶体管的体积不断缩小,电泄漏也更加严重,导致处理器发热和功耗过大的问题日益突出。从某

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