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深亚微米集成电路Cu/低k互连结构温度特性分析的开题报告

一、研究背景与意义

随着电子技术的发展，集成电路芯片不断地增强密度、缩小体积和提高性能。低k材料被广泛地应用于芯片互连结构中，以提高芯片的速度和可靠性。而其中，Cu是一种很有前途的互连材料，可以比Al的互连更好的满足芯片的需求。

然而，低k材料与Cu互连材料的结合面临着一些问题，例如在制程中需要使用高温，低k材料容易变形、开裂等。因此，研究Cu与低k的结合问题对于集成电路制造行业具有重要的意义。

二、研究目标

本研究主要针对深亚微米集成电路中Cu/低k互连结构的温度特性进行分析，具体研究目标包括：

1.利用仿真软件对Cu/低k互连结构进行模拟分析，探究不同温度下结构的变化情况；

2.在实验室中制备Cu/低k互连样品，并进行温度特性测试，验证仿真结果的准确性；

3.分析Cu/低k互连结构在不同温度下的电学性能，探究温度对其性能的影响。

三、研究内容和方法

1.论文综述：对Cu/低k互连结构的研究进展进行梳理和总结，分析已有文献对该领域的贡献和不足。

2.仿真模拟：采用ANSYS等仿真软件对Cu/低k互连结构进行模拟分析，观察不同温度下结构的变化情况。

3.实验制备：在实验室中制备Cu/低k互连样品，通过电子显微镜、原子力显微镜等测试手段进行结构表征。

4.实验测试：利用仪器测量不同温度下Cu/低k互连结构的电学性能，例如电阻、电导率、电容等。

5.数据分析：对仿真模拟和实验测试得到的数据进行分析处理，得出Cu/低k互连结构的温度特性规律和影响因素。

四、预期结果和意义

预计通过本研究可以得出以下结果：

1.分析Cu/低k互连结构的温度特性，得出其结构变化规律和关键因素；

2.探究温度对Cu/低k互连结构性能的影响，从而实现互连结构的优化和性能提升；

3.结合仿真模拟和实验测试，验证方法的可行性，并为之后的研究提供参考。

本研究的结果对于深亚微米集成电路Cu/低k互连结构的发展和应用具有一定的理论和实际意义，还可用于材料和制程优化，提高集成电路制造技术的水平和竞争力。