1《电子技术基础》-2 半导体二极管 (1)课件讲解.ppt

*第二节半导体二极管总目录下页电子技术基础石家庄铁路职业技术学院赵玉菊半导体二极管第二节半导体二极管二极管的伏安特性二极管的主要参数二极管电路分析总目录下页稳压管一、二极管的伏安特性阳极从P区引出，阴极从N区引出。1.二极管的类型（1）从材料分：硅二极管和锗二极管。（2）从管子的结构分：对应N区对应P区点接触型二极管。面接触型二极管。开关型二极管。二极管的符号阳极anode阴极cathode下页上页首页302010I/mAUD/V0.51.01.5201024-I/μАO正向特性死区电压IsUBR反向特性+-UDI2.二极管的伏安特性下页上页首页当正向电压超过死区电压后，二极管导通,电流与电压关系近似指数关系。硅二极管为0.6~0.8V左右锗二极管为0.1~0.3V左右死区电压正向特性0.51.01.5102030U/VI/mAO二极管正向特性曲线硅二极管为0.5V左右锗二极管为0.1V左右死区电压：导通压降：正向特性下页上页首页反偏时，反向电流值很小，反向电阻很大，反向电压超过UBR则被击穿。IS反向特性UBR结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。二极管方程：反向饱和电流反向击穿电压反向特性24-I/μAI/mAU/V2010O下页上页首页二、温度特性温度升高，正向特性左移，反向特性下降。604020–0.0200.4–25–50iD/mAuD/V20?C90?C三、二极管的主要参数最大整流电流IF最高反向工作电压UR下页上页首页最高工作频率fM四、二极管电路分析定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅：0.7V锗：0.3V反向截止时二极管相当于断开。若二极管是理想的，正向导通时管压降为零（短路），[例]已知Ui=Umsinωt，二极管是理想的，画出uo和uD的波形。VDR+-+-uiuo+-uDioUmωtuooωtuDo-UmioUmωtuio下页上页首页五、稳压管稳压管符号及特性曲线如下图所示：ΔUΔI+-IUO稳压管的伏安特性和符号ΔUΔI值很小有稳压特性阴极阳极下页上页首页1.稳定电压UZ2.稳定电流Iz3.动态内阻rzrz=ΔU/ΔI4.额定功耗Pz稳压管主要参数：下页上页首页使用稳压管组成稳压电路时的注意事项：UoRLVDZRUiIRIoIZ++--稳压管电路稳压管必须工作在反向击穿区，稳压管应与负载RL并联，必须限制流过稳压管的电流IZ，下页上页首页+-VD1VD2U+-U+-U+-UVD1VD2VD1VD2VD1VD2[例]有两个稳压管VD1和VD2，它们的稳压值为UZ1=6V，UZ2=8V，正向导通压降均为UD=0.6V，将它们串联可得到几种稳压值？U=UD+UD=1.2VU=UZ1+UD=6.6VU=UZ1+UZ2=14VU=UD+UZ2=8.6V下页上页首页（a）（b）（c）（d）上页首页谢谢收看*第二节半导体二极管