常用芯片数据手册fdd6676as.pdfVIP

下载本文档

0
0
约6.05万字
约 12页
2024-07-18 发布于北京
举报
版权申诉

常用芯片数据手册fdd6676as.pdf

1、本文档共12页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

April20056

FDD6676ASS

™

30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET

GeneralDescriptionFeatures

TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingle•90A,30VRDS(ON)=5.7mΩ@VGS=10V

MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DC

powers.This30VMOSFETisdesignedtoRDS(ON)=7.1mΩ@VGS=4.5V

izepowerconversionefficiency,providingalow

RDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676AS•IncludesSyncFETschottkybodydiode

includesapatentedcombinationofaMOSFET

monolithicallyintegratedwithaSchottkydiodeusing•Lowgatecharge(46nCtypical)

Fairchild’smonolithicSyncFETtechnology.

•Highperformancetrenchtechnologyforextremely

ApplicationslowRDS(ON)

•DC/DCconverter

•Highpowerandcurrenthandlingcapability

•

您可能关注的文档

文档评论（0）

kay5620 + 关注: 实名认证

文档贡献者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

用户编号：8001056127000014

1亿VIP精品文档

更多 >

常用芯片数据手册fdd6676as.pdfVIP