SJ∕T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.docxVIP

ICS31.080.30

L42

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T1834——2016

代替SJ1834-1981

半导体分立器件

3DK104型NPN硅小功率开关晶体管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor

type3DK104

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T1834—2016

前言

本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本规范代替SJ/T1834—1981。与SJ/T1834—1981相比，本规范主要技术变化如下：——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。

——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规范中合并为tor(关断时间),即tof=tg+te。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位；石家庄天林石无二电子有限公司。

本规范主要起草人：赵滨、宋凤领、吕瑞芹。

本规范于198年首次发布，本次为第一次修订。

II

SJ/T1834—2016

引言

本规范适用于3DK104型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。

1

SJ/T1834—2016

半导体分立器件3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国工业和信息化部

评定器件质量的根据：

GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：

分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》

SJ/T1834—2016

半导体分立器件3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

1外形尺寸

外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-02B型的规定。

D

①a

45°

00

M

司

Φbl

Φb2

1.发射极2.基极3.集电极

单位为毫米

2简略说明

开关用双极型晶体管

半导体材料：硅金属封装(空腔)

应用：各种电路中作开头及高频放大与振荡用

3质量评定类别

Ⅱ类

考数据7=25℃)

0

Ic=400mA

VCBo=75V(3DK104A

VCBo=100V(3DK104BD)

VCEo=60V(3DK104A、

VCEo=80V(3DKA04B、DVFBO=5V

f≥150MH

25～180

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

6.10

6.60

Φa

一一

5.08

Φb

1.01

Φb?

0.40

0.51

ΦD

8.64

一

9.39

ΦD

8.01

—

8.50

j

0.71

0.79

0.87

K

0.74

1.14

L

12.5

一

25.0

L

1.27

2

SJ/T1834—2016

4规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封

GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T

4937—1995

半导体器件机械和气候试验方法

GB/T

6218—1996

开关用双极型晶体管空白详细规范

GB/T

7581—1987

半导体分立器件外形尺寸

GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范

5极限值(绝对最大额定值)

极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。

表1极限值

章条号

参数

符号

数值

单位

最小值

最大值

4.1

工作环境温度

Tab

-55

125

℃

4.2

贮存温度

Ttg

-55

175

℃

4.3

最大集电极一基极直流电压