SJ_T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮPＮ硅小功率开关晶体管详细规范.docxVIP

ICS31.080.30L42

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T1831—2016

代替SJ1831-1981

半导体分立器件

3DK28型NPN硅小功率开关晶体管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor

type3DK28

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部

发布

SJ/T1831—2016

前言

本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本规范代替SJ/T1831—1981。与SJ/T1831—1981相比，本规范主要技术变化如下：——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。

—原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和r(下降时间)在本规范中合并为ton(关断时间),即to=ts+tr。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。

本规范起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司。本规范主要起草人：赵滨宋凤领吕瑞芹。

本规范于1981年首次发布，本次为第一次修订。

I

SJ/T1831—2016

引言

本规范适用于3DK28型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。

II

SJ/T1831—2016

半导体分立器件3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国工业和信息化部

评定器件质量的根据：

GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》

GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》

SJ/T1831—2016

半导体分立器件3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

1外形尺寸

外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3—01B型的规定。

2简略说明

开关用双极型晶体管半导体材料：硅

封装：金属封装(空腔)

应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。

3质量评定类别Ⅱ类

参考数据(T=25℃)

Ptot=300mW

Ic=50mA

Vcgo=35V(3DK28A)VcBo=20V(3DK28B)Vcno=20V(3DK28C)VCEo=25V(3DK28A)VcFo=15V(3DK28B)VCEo=15V(3DK28C)

VEBo=4V

≥500MH

hpg:25～180

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

4.32

5.33

Φa

2.54

Φb

1.01

Φb?

0.40

0.51

ΦD

5.31

5.84

ΦD

4.53

4.95

j

0.92

1.04

1.16

K

0.51

1.21

L

12.5

25.0

L

1.27

1

SJ/T1831—2016

4规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封

GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937—1995

半导体器件机械和气候试验方法

GB/T6218—1996

开关用双极型晶体管空白详细规范

GB/T7581—1987

半导体分立器件外形尺寸

GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规萍

5极限值(绝对最大额定值

极限值见表1。除非房有规定这些极限值在整个工作温度范围内适。表极限值

章条号

数

符号

数值

单位

值

最木值

4.1

工作环温度

12

℃

4.2

贮存温片

17

℃

4.3

最大集电极一集极直流电片

3DK28A3DK28B3DK28C

V

4.4

最大集电极一发射流电压

3DK28A3DK28B3DK28C

Vao

5

15

15

V

4.5

最大发射极—基极直流电压

4

V

4.6

最大直流集电极电流