GB∕T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备.docx

ICS31.220L95

中华人民共和国国家标准

GB/T36646—2018

制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

Equipmentforpreparationofnitridesemiconductormaterialsbyhydridevaporphaseepitaxy

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T36646—2018

目次

前言 Ⅲ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4产品分类和标记 2

4.1分类 2

4.2型号标记 2

5工作条件 3

5.1电源 3

5.2环境温度 3

5.3相对湿度 3

5.4大气压力 3

5.5洁净室等级 4

5.6冷却水 4

5.7动力气体 4

6要求 4

6.1压升率 4

6.2气体输运系统 4

6.3电气系统 4

6.4控制软件 4

6.5整机性能 5

6.6安全防护 5

7检测方法 6

7.1压升率测试 6

7.2气体输运系统检测 6

7.3电气系统检测 6

7.4控制软件检测 7

7.5整机性能检测 7

7.6安全防护检测 9

8检验规则 9

8.1检验分类 9

8.2型式检验 9

8.3出厂检验 10

Ⅱ

GB/T36646—2018

8.4判定规则 10

9标志、包装、运输和储存 10

9.1标志 10

9.2包装 11

9.3运输 11

9.4储存 11

附录A(规范性附录)氮化物外延材料厚度测量 12

Ⅲ

GB/T36646—2018

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。

本标准起草单位：东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人：刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉。

1

GB/T36646—2018

制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

1范围

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。

本标准适用于制备直径50.8mm～152.4mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T191—2008包装储运图示标志

GB/T3768—2017声学声压法测定噪声源声功率级和声能量级采用反射面上方包络测量面的简易法

GB/T5080.7—1986设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案

GB5226.1—2008机械电气安全机械电气设备第1部分：通用技术条件

GB/T6388—1986运输包装收发货标志GB/T14264—2009半导体材料术语

GB50073—2013洁净厂房设计规范

GB/T50087—2013工业企业噪声控制设计规范GB50646—2011特种气体系统工程技术规范

SJ/T37—1996电子工业专用设备型号编制及命名方法

3术语和定义

GB/T14264—2009和GB50646—2011界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

氢化物气相外延hydridevaporphaseepitaxy

在外延生长所需的化学组分中，至少采用一种氢化物的气相外延。

3.2

反应室reactionchamber

对衬底片进行