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ICS31.080.01L40
中华人民共和国国家标准
GB/T4937.3—2012/IEC60749-3:2002
半导体器件
机械和气候试验方法第3部分:外部目检
Semiconductordevices—
Mechanicalandclimatictestsmethods—
Part3:Externalvisualexamination
(IEC60749-3:2002,IDT)
2012-11-05发布2013-02-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
发布
I
GB/T4937.3—2012/IEC60749-3:2002
前言
GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成:
第1部分:总则
第2部分:低气压;
第3部分:外部目检;
第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST) 第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
第6部分:高温贮存
第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析-———-第8部分:密封;
第9部分:标志耐久性; 第10部分:机械冲击
第11部分:快速温度变化双液槽法 第12部分:变频振动;
第13部分:盐气;
——第14部分:引线牢固性(引线强度); 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; 第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND); 第17部分:中子辐射
第18部分:电离辐射(总剂量) 第19部分:芯片剪切强度;
第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;
第21部分:可焊性
第22部分:键合强度;
第23部分:高温工作寿命;
第24部分:加速耐湿无偏置强加速应力试验; 第25部分:温度循环;
第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验人体模式(HBM) 第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验机械模式(MM);
第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验器件带电模式(CDM)(考虑中) 第29部分:门锁试验
第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的)
第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的)
第33部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮 第34部分:功率循环;
第35部分:塑封电子元器件的声学扫描—第36部分:恒定加速度;
第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法;
Ⅱ
GB/T4937.3—2012/IEC60749-3:2002
———第38部分:半导体器件的软错误试验方法;
——第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量。本部分是GB/T4937的第3部分。
本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC60749-3:2002《半导体器件机械和气候试验方法第3部分:
外部目检》
为便于使用,本部分做了下列编辑性修改:
a)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
b)删除国际标准的前言。
1
GB/T4937.3—2012/IEC60749-3:2002
半导体器件
机械和气候试验方法第3部分:外部目检
1范围
GB/T4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。
2试验设备
本试验使用的设备应能证实器件是否符合要求,包括能够放大3倍~10倍的光学设备和足够大的视场。例如:带照明的圆形放大镜。
3程序
根据相关详细规范和第4章的判据要求对器件进行检查。若怀疑器件附着外来物时,可用流速最大为27m/s的清洁过滤空气(抽气或吹气)处理后再检查。
4失效判据
器件以引下出任,标判(内为容不、合位格置:和清晰度)、材料、结构和工艺质量不符合适用的采购
文件要求;
b)可见的腐蚀、污染破损(引线变曲度大或折断,密封破裂,玻璃弯月形除外)、缺陷(剥落、起皮或起泡)、镀层损伤或底层金属暴露(涂层褪色不应视为头效,除非有起皮、针孔或腐蚀);
c)引线未对准或改变了原来的正常位置,或引线形状不符合规定或未加规定的弯曲。(带状引线)对正常引线平面有扭曲;
d)引线上粘有诸如漆或其他粘合物之类的无关材料;
e)任何不符合详细规范或适用的采购文件要求,缺少任何要求的特征,或是存在影响器件正常使用的明显损伤、腐蚀或污染;
f)由
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