GB∕T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管.docx

ICS31.080.10K46

中华人民共和国国家标准

GB/T4023—2015/IEC60747-2:2000

代替GB/T4023—1997

半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

Semiconductordevices—Discretedevicesandintegratedcircuits—Part2:Rectifierdiodes

(IEC60747-2:2000,IDT)

2015-12-31发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T4023—2015/IEC60747-2:2000

目次

前言

引言 IX

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

3.1一般术语 1

3.2额定值和特性的术语：电压 2

3.3额定值和特性的术语：电流 3

3.4额定值和特性的术语：耗散功率 4

3.5额定值和特性的术语：其他特性 5

4文字符号 7

4.1概述 7

4.2补充的通用下标 7

4.2.1电流、电压和功率 8

4.2.2电参数 8

4.3文字符号表 8

4.3.1电压(参见图4、图5) 8

4.3.2电流(参见图6) 9

4.3.3功率 10

4.3.4开关 10

5基本额定值和特性 10

5.1概述 10

5.1.1适用范围 10

5.1.2额定方法 10

5.1.3推荐温度 10

5.2额定条件 11

5.2.1环境额定的整流二极管 11

5.2.2管壳额定的整流二极管 11

5.3电压和电流的额定值(极限值) 11

5.3.1反向不重复峰值电压(VRsm) 11

5.3.2反向重复峰值电压(VRRM) 11

Ⅱ

GB/T4023—2015/IEC60747-2:2000

5.3.3反向工作峰值电压(VRwm) 11

5.3.4反向直流电压(VR)(适用时) 11

5.3.5正向平均电流(IF(Av) 11

5.3.6正向重复峰值电流(IFRm)(适用时)(特别适用于快开关二极管) 11

5.3.7正向过载电流(I(ov) 12

5.3.8正向浪涌电流(IFsm) 12

5.3.9正向直流电流(Ir) 12

5.3.10管壳不破裂峰值电流(IrsMc) 13

5.4频率额定值(极限值) 13

5.5耗散功率额定值(极限值) 13

5.5.1反向浪涌耗散功率(雪崩整流二极管和可控雪崩整流二极管的) 13

5.5.2反向重复峰值耗散功率(可控雪崩整流二极管的) 13

5.5.3反向平均耗散功率(可控雪崩整流二极管的) 13

5.6温度额定值(极限值) 13

5.6.1冷却流体的温度或基准点的温度(对于环境额定的或管壳额定的整流二极管) 13

5.6.2贮存温度(Tsg) 13

5.6.3等效结温(T;)(适用时) 13

5.7电特性 13

5.7.1正向特性(适用时) 13

5.7.2正向电压(在热平衡条件下) 14

5.7.3击穿电压(V(BR))(雪崩整流二极管的，用于不重复的情况) 14

5.7.4反向重复峰值电流(IRRM) 14

5.7.5总耗散功率(P1ot) 14

5.7.6一个正弦半波正向电流脉冲的最大总能量(适用时)(特别适用于快开关二极管) 14

5.7.7恢复电荷(Q?)(适用时),见图9 15

5.7.8反向恢复峰值电流(irm)(适用时),见图9 15

5.7.9反向恢复时间(tm)(适用时),见图9 15

5.7.10正向恢复时间(适用时) 15

5.7.11