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ICS31.080.30
L42
备案号:
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T1826—2016
SJ/T1826—1981
半导体分立器件
3DK100型NPN硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductordiscretedeyices
DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor
type3DK100
2016-04-05发布2016-09-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T1826—2016
前言
本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本规范代替SJ/T1826—1981。与SJ/T1826—1981相比,本规范主要技术变化如下:——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。
——原规范开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规范中合并为tor(关断时间),即toff=ts+tf。
II
SJ/T1826—2016
引言
本规范适用于3DK100型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。
1
SJ/T1826—2016
半导体分立器件3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
中华人民共和国工业和信息化部
评定器件质量的根据:
GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:
分立器件和集成电路总规范》
GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》
SJ/T1826—2016
半导体分立器件3DK100型NPN硅少功率开关晶体管详细规范
1外形尺寸
外形符合GB/T7581-198《半导体分立器件外形尺寸》
中A3-01B型的规定。
Φa
.5①x
DD
Φb
1.发射极2.基极3.集电极
单位为毫米
2简略说明
开关用双极型晶体管
半导体材料:硅
封装:金属封装(空腔
应用:锋种电路中作开关及高频放大与振荡用。
3质量评定类别
Ⅱ类
考数据T=25℃)
00mW
Ic=30mA
Vcso=20V(3DK100A、BVCBo=15V(3DK1000)
VCFo=15V(3DK100A、BVcso=10V(3Dk100C)
o=4V
≥300MH
hE:25-180
符号
尺寸数值
最小
标称
最大
A
4.32
5.33
Φa
2.54
—
Φb?
1.01
Φb?
0.40
—
0.51
ΦD
5.31
一
5.84
ΦD
4.53
4.95
j
0.92
1.04
1.16
K
0.51
1.21
L
12.5
—
25.0
L
一
1.27
2
SJ/T1826—2016
4规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2423.23—2013环境试验第2部分:试验方法试验Q:密封
GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T4937—1995
半导体器件机械和气候试验方法
GB/T6218—1996
开关用双极型晶体管空白详细规范
GB/T7581—1987
半导体分立器件外形尺寸
GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非另有规定,这些极限值在整个工作温度范围内适用。
表1极限值
章条号
参数
符号
数值
单位
最小值
最大值
4.1
工作环境温度
Tm
-55
125
℃
4.2
贮存温度
Tstg
-55
175
℃
4.3
最大集电极-基极直流电压
3DK100A3DK100B3DK100C
Vcmo
20
20
15
V
4.4
最大集电极-发射极直流电压
3DK100A3DK100B3DK100C
VcE
——
15
15
10
V
4.5
最大发射极-基极直流电压
VB
一
4
V
4.6
最大直流集电极电流
Iau
30
mA
4
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