SJ_T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范.docx

ICS31.260CCSL53

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11818.3—2022

半导体紫外发射二极管第3部分：器件规范

Semiconductorultraviolet-emittingdiodes—Part3:SpecificationforDevices

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T11818.3—2022

目次

前言 III

引言 IVI

1范围 1

2规范性引用文件 1

II

SJ/T11818.3—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件为SJ/T11818《半导体紫外发射二极管》的第3部分。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国电子标准化研究院(CESI)提出并归口。

本文件起草单位：鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术

宗涛。

宗涛。

IV

SJ/T11818.3—2022

引言

SJ/T11818《半导体紫外发射二极管》系列标准拟由三个部分构成：——第1部分：测试方法；

——第2部分：芯片规范；——第3部分：器件规范。

1

SJ/T11818.3—2022

半导体紫外发射二极管第3部分：器件规范

1范围

本文件规定了半导体紫外发射二极管(以下简称器件)的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求。

本文件适用于峰值波长范围在200nm～400nm器件的制造和使用，峰值波长400nm～420nm的器件可参照执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。基中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

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列术语和定义适用于本文件。

注：为了便于使用，以下重