SJ∕T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范.docxVIP

ICS31.080.30L42

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T1477—2016代替SJ/T1477-1979

半导体分立器件

3CG120型硅PNP高频小功率晶体管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

Detailspecificationfortype3CG120highfrequencylowpowerPNPsilicontransistor

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部

发布

I

SJ/T1477—2016

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替SJ/T1477—1979。与SJ/T1477—1979相比，本标准主要技术变化如下：

——本标准依据GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。——本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。

——原标准3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz,本标准表2电特性5.15中共基极输出电容测试条件改为1MHz

——本标准增加了极限值参数YcBo见4.3)和电特性参数高温下的截止电流Icso?(见5.8),IcBO? (新版见5.7,旧版见sCG120型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由Vcp=-10V改为Vcp=VcBO,cEa(新版见5.7,旧版见3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由

Vce=-10V改为=IcEO,IEBo(新版见A2b分组，旧版见3CGI20型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由LEB=-15V为—2删掉了交流参数Kp和M(见旧版3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表

请注意本文件的某些内容薄能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国导体器件添准化技术委员会归口。

本标准起草单位：济南市平导体元件实验所本标准主要起草人：侯秀萍、下岩。

本标准于1979年首次发布，素次为第一次订

II

SJ/T1477—2016

引言

本标准适用于3CG120型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T6217—1998《半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。

1

SJ/T1477—2016

半导体分立器件3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

中华人民共和国工业和信息化部

评定器件质量的根据：

GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》,

GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》

SJ/T1477—2016

半导体分立器件3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

1外形尺寸

外形符合GB/T7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》

D简略说明

高频放大环境额定的双极型晶体管

半导体材料：徒

封装：金属封装(空腔

应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。

中A3-02B型的要求。

Φ

Φa

45*

Φb

3质量评定类别

Ⅱ类

工程数据

Ptot=500n

100m-20

=25C

VV

F:25c27

≥200MHz

C。b≤7pF

1.发射极2.基极3.集电极

单位为毫米

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

6.10

6.60

Φa

5.08

Φb

—

1.01

Φb?

0.40

—

0.51

ΦD

8.64

——

9.39

ΦD

8.01

8.50

j

0.71

0.79

0.87

K

0.74

1.14

L

12.5

25.0

L

1.27

2

SJ/T1477—2016

4规范性引用文件

下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本标准。

GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范G