GBT 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求.docx

ICS29.120.50K31

中华人民共和国国家标准

GB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012

代替GB/T13539.4—2009

低压熔断器

第4部分：半导体设备保护用熔断体

的补充要求

Low-voltagefuses—

Part4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionof

semiconductordevices

(IEC60269-4:2012,IDT)

2016-04-25发布2016-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发布

GB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012

目次

前言 I

1总则 1

2术语和定义 2

3正常工作条件 2

4分类 4

5熔断器特性 4

6标志 7

7设计的标准条件 8

8试验 8

附录AA(资料性附录)熔断体和半导体设备的配合导则 18

附录BB(规范性附录)制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体

的资料 22

附录CC(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例 23

参考文献 39

I

GB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012

前言

GB13539《低压熔断器》目前包括以下6个部分：——第1部分：基本要求；

——第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示

例A至K;

第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A至F;

———第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求；——第5部分：低压熔断器应用指南；

——第6部分：太阳能光伏系统保护用熔断体的补充要求。本部分为GB13539的第4部分。

本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本部分代替GB/T13539.4—2009《低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》。本部分与GB/T13539.4—2009相比主要技术变化如下：

增加VSI(电压源逆变器)内容，包括VSI特性、技术要求及试验方法等

——表101“‘gR’和‘gS型熔断体的约定时间和约定电流”中，“gR”型约定不熔断电流In从1.1In改为1.13In;

表102“完整试验清单”中删去了交流No.6～No.10试验，补充了VSINo.21试验，并将脚注修改为“如果周围空气温度在10℃和30℃之间，弧前I2t特性有效”;

表103“同一熔断体系列中最小额定电流熔断体试验一览表”中删去了交流No.6试验和直流No.11试验；

8.4.3.6“指示装置和撞击器(如有)的动作”增加“指示装置或撞击器的性能和性能验证由制造厂和用户协商”规定；

将原表106“验证交流截断电流、I2t特性和电弧电压特性试验参数”删去，改为新的表106“VSI熔断体分断能力试验参数”;

附录CC的“CC.3B型螺栓连接熔断体系统——DIN”和“CC.5A型接触片式熔断体系统”中增加了“‘gR’和‘gS型熔断体的约定时间和约定电流”表；

附录CC的北美熔断体系统增加了分断能力试验的恢复电压要求； 附录CC增加了法国的B型圆筒形帽熔断体系统。

本部分使用翻译法等同采用IEC60269-4:2012《低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：

GB/T321—2005优先数和优先数系(ISO3:1973,IDT);

GB/T5465.2—2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号(IEC60417DB:2007,

IDT);

GB13539.1—2015低压熔断器第1部分：基本要求(IEC60269-1:2009,IDT)

GB/T13539.2—2015低压熔断器第2部分：专业人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A至K(IEC60269-2: