GBT 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法.docx

ICS31.200L56

中华人民共和国国家标准

GB/T35007—2018

半导体集成电路

低电压差分信号电路测试方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodoflowvoltagedifferentialsignalingcircuitry

2018-03-15发布2018-08-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发布

GB/T35007—2018

目次

前言 Ⅲ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4总则 2

4.1测试环境要求 2

4.2测试注意事项 2

5静态参数测试 2

5.1单端数字接口参数 2

5.2输入高电平阈值电压(VTn) 2

5.3输入低电平阈值电压(VrL) 3

5.4输入电流(In) 4

5.5电源关断输入漏电流(II-OFF) 5

5.6输出LVDS高电压(Vom) 6

5.7输出LVDS低电压(VouL) 7

5.8共模输出电压(Vos) 8

5.9互补态共模输出电压变化(△Vos) 8

5.10差分输出电压(Vop) 9

5.11互补态差分输出电压变化(△Vop) 9

5.12LVDS输出短路电流(IosL) 10

5.13电源关断输出漏电流(Io-OFF) 11

5.14LVDS输出高阻态电流(Iozu) 12

5.15内置差分输入电阻(Rr) 13

5.16内置差分输出电阻(Ror) 13

5.17静态电源电流(Ipp) 14

5.18关断电源电流(Ippz) 15

6动态参数测试 16

6.1输入电容(C?)和输出电容(Co) 16

6.2动态电源电流(IppA) 18

6.3最高工作频率(fMAx) 18

6.4最低工作频率(fmin) 19

6.5最大数据率(DRMAx) 20

6.6输出由低电平到高电平传输延迟时间(tpLn) 20

6.7输出由高电平到低电平传输延迟时间(tpm) 22

6.8输出由高阻态到高电平传输延迟时间(tpzn) 22

6.9输出由高阻态到低电平传输延迟时间(tpz) 24

6.10输出由高电平到高阻态传输延迟时间(tpHz) 24

I

Ⅱ

GB/T35007—2018

6.11输出由低电平到高阻态传输延迟时间(tpLz) 25

6.12输出由低电平到高电平转换时间(tTLn) 25

6.13输出由高电平到低电平转换时间(trmL) 27

6.14脉冲时滞(tskp) 27

6.15通道间时滞(tsko) 28

6.16眼图高度(en) 28

6.17眼图宽度(ew) 29

6.18确定性抖动(D;) 30

6.19随机抖动(R;) 30

6.20总抖动(J?) 31

附录A(资料性附录)眼图测试对仪器的要求 32

Ⅲ

GB/T35007—2018

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。

本标准起草单位：成都振芯科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市国微电子有限公司、深圳市众志联合电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十九研究所。

本标准主要起草人：陈雁、罗彬、郭超、王会影、李锟、蔡志刚、邬海忠、钟科。

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GB/T35007—2018

半导体集成电路

低电压差分信号电路测试方法

1范围

本标准规定了半导体集成电路低电压差分信号(LVDS,lowvoltagediff