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ICS31.080L53
备案号:52030-2015
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T2658.3—2015
代替SJ/T2658.3—1986
半导体红外发射二极管测量方法第3部分:反向电压和反向电流
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part3:Reversevoltageandreversecurrent
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T2658.3—2015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分: 第1部分:总则:
第2部分:正向电压;
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人:张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:——SJ/T2658.3—1986。
1
SJ/T2658.3—2015
半导体红外发射二极管测量方法第3部分:反向电压和反向电流
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则
3术语和定义
GB/T15651-1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
反向电压reversevoltage
VR
通过器件的反向电流为规定值时,其两极间产生的电压降。
4一般要求
测量反向电压和反向电流的一般要求应符合SJ/T2658.1。
5反向电压的测量
5.1测量原理图
反向电压的测量原理图见图1。
2
SJ/T2658.3—2015
说明:
DUT——被测器件;G稳压源;A电流表;V电压表。
图1反向电压测量原理图
5.2测量步骤
反向电压的测量按下列步骤进行:
a)按图1连接测量系统,并进行仪器预热;
b)调节稳压源,使反向电流/为规定值,读取直流电压表的示数后得到被测器件的反向电压值。
5.3规定条件
有关标准采用本方法时,应规定以下条件:
a)环境温度;
b)反向电流I。
6反向电流的测量
6.1测量原理图
反向电流的测量原理图见图2。
3
SJ/T2658.3—2015
说明:
DUT——被测器件;G稳压源:
A电流表;V电压表。
图2反向电流测量原理图
6.2测量步骤
反向电流的测量按下列步骤进行:
a)按图2连接测量系统,并进行仪器预热;
b)调节稳压源,使反向电压Vr为规定值,读取直流电流表的示数后得到被测器件的反向电流值。
6.3规定条件
有关标准采用本方法时,应规定以下条件:
a)环境温度:
b)反向电压VR。
SJT
SJT2658.3-2015
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