GB∕T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分 信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范.docx

ICS31.080.10L41

中华人民共和国国家标准

GB/T6589—2002/IEC60747-3-2:1986

QC750005

代替GB/T6589—1986

半导体器件分立器件

第3-2部分：信号(包括开关)和调整二极管

电压调整二极管和电压基准二极管

(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范

SemiconductorDevices—Discretedevices—

Part3-2:Signal(includingswitching)andregulatordiodes—

Blankdetailspecificationforvoltage-regulatordiodesandvoltage-reference

diodes(excludingtemperature-compensatedprecisionreferencediodes)

(IEC60747-3-2:1986,IDT)

2002-12-04发布2003-05-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

I

GB/T6589—2002/IEC60747-3-2:1986

前言

GB/T6589是等同采用IEC60747-3-2:1986(QC750005)《电压调整和电压基准二极管(不包括温

度补偿精密基准二极管)空白详细规范》(英文版)。

本部分代替GB/T6589—1986《电压调整和电压基准二极管(包括温度补偿精密基准二极管)空白

详细规范》。

本部分与GB/T6589—1986的主要差别是：

1)本部分适用范围不包括温度补偿精密基准二极管。

2)在标准文本前面增加了前言。

3)因引用的标准更改而修订的地方有：

——全文中涉及到“总规范”处由GB/T4936.1—1985《半导体分立器件总规范》,改为IEC60747-10:1991《半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范》;

第7章中要求的筛选顺序由按GB/T4936.1-1985《半导体分立器件总规范》,改为按GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》;

第8章中测试方法由按GB/T4936.1—1985《半导体分立器件总规范》,改为按GB/T12560—199

《半导体器件分立器件分规范》;

第8章中抽样要求由按GB/T4936.1—1985《半导体分立器件总规范》,改为按GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》;

——B8、C8分组中电耐久性由按GB/T4938—1985《半导体分立器件接收和可靠性》,改为按

GB/T6571-1995《半导体器件分立器件第3部分：信号(包括开关)和调整二极管》;

B3、B4、B5分组和C3、C4分组试验由按GB/T4937—1985《半导体分立器件机械和气候试验方法》,改为按GB/T4937—1995《半导体器件机械和气候试验方法》;

B5分组中交变湿热由按GB/T2423.4—1981《电工电子产品基本环境试验规程试验Db:交变湿热试验方法》,改为按GB/T4937—1995《半导体器件机械和气候试验方法》。

4)取消了4.5.1和4.5.2的符号Insx。

5)根据GB/T6571—1995对1个电参数名称进行了修改：

——原版4.5中“最大反向恒定(直流)电流”改为“最大反向直流电流”。6)5.8中“最大等效噪声电压”改为“最大噪声电压”。

7)第7章中要求的筛选顺序原为GB4936.1的3.6.2,本版为GB/T12560的3.7。

8)第8章中测试方法原引用GB4936.1的6.1.1,本版为GB/T12560的第4章。

9)第8章中抽样要求原引用GB4936.1的3.6.2,本版为GB/T12560的3.8。

10)根据原文含义将4.5.1中“Pm(T)”改为“Par”。

11)B组表注中电耐久性试验原引用GB4936.1的3.4.3.1,本版为GB/T12560的3.2.3.1。

本部分与IEC60747-3-2的主要差别是：

1)本部分第7章中条号“3.8”和“3.7”在IEC60747-3-2中为“3.7”和“3.6”。

2)根据原文含义将4.3.1中“Pto”改为“Pm