SJ∕T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法.docx

ICS31.080

L53

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2749—2016

代替SJ/T2749-1987

半导体激光二极管测试方法

Measuringmethodsforsemiconductorlaserdiodes

2016-01-15发布2016-06-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2749—2016

目次

前言 III

1范围 1

2规范性引用文件 1

相对强度噪声

5.17截止频率 22

5.18调制速率 23

5.19边模抑制比 24

5.20射频回波损耗 24

5.21输入1dB压缩点和动态范围 25

5.22工作频率范围和带内平坦度 27

5.23电压驻波比 28

5.24噪声系数 28

5.25输入三阶交调截止点和无杂散动态范围 29

II

SJ/T2749—2016

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替SJ/T2749—1987《半导体激光二极管测试方法》。本标准与SJ/T2749—1987相比主要变化如下：

a)将辐射光谱宽度改为光谱辐射带宽(见3.1),将辐射图改为近场图(见3.2),增加了动态范围

(见3.3)、输入1dB压缩点(见3.4)、工作频率范围(见3.5)、带内平坦度(见3.6)、电压驻波比(见3.7)、输入三阶交调截止点(见3.8)、调制速率(见3.9)、射频回波损耗(见3.10)动态消光比(见3.11)、无杂散动态范围(见3.13)的术语和定义；

b)增加了一般要求(见4);

c)将反向击穿电压改为反向电压(见5.2);

d)增加了调制速率(见5.18)、边模抑制比(见5.19)、射频回波损耗(见5.20)、输入1dB压缩点(见5.21)、动态范围(见5.21)、工作频率范围(见5.22)、带内平坦度测试(见5.22)电压驻波比(见5.23)、噪声系数(见5.24)、输入三阶交调截止点(见5.25)和无杂散动态范围(见5.25)常用参数的测试方法。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本标准起草单位：中国科学院半导体研究所。

本标准主要起草人：王欣、谢亮、满江伟、王佳胜。本次修订为首次修订。

4

SJ/T2749—2016

半导体激光二极管测试方法

1范围

本标准规定了半导体激光二极管的光学、电学和热学参数的测试方法。

本标准适用于带或不带尾纤的半导体激光二极管(以下简称“激光二极管”)。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用交件，其最薪版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T15651—1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分；光电子器件GB/T11499—2001米导体分立器件文字符号

CIE127发光二极气的测试方法(measurementofLEDs)

3术语和定义

GB/T156s95和GB11499-2001界定的以及下列术和定义适用于文件

3.1光谱辐射带宽spectrumwidth

3.1.1

均方根谱宽ostmeansquarespectrumwiath

在规定的工作条生方，光谱包络分布用高斯函数P(λ)来近似。均方根谱宽值ms见公式(1)。

式中：

入光源波长；

λo——光源中心波长。

3.1.2

-3dB谱宽-3dBspectralwidth

在规定的工作条件下，主纵模峰值波长的幅度下降3dB处光谱线两点间的波长间隔，称之为-3dB谱宽，或称FWHM(thefullwidthathalfmaximum)谱宽。

3.1.3

-20dB谱宽-20dBspectralwidth

在规定的工作条件下，主纵模峰值波长的幅度下降20dB处光谱线两点间的波长间隔，称之为-20dB谱宽。

5

SJ/T2749——2016

3.2

近场图nearfieldpattern

表征激光二极管发射端面的光辐射强度的分布图。

3.3

动态范围dynamicrange

激光二极管达到饱和前的最大信号输出功率与本底噪声的比值。

3.4