SJ∕T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法.docx

ICS33.180

L50

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11405—2009

光纤系统用半导体光电子器件第2部分：测量方法

Semiconductoroptoelectronicdevicesforfibreopticsystemapplications-Part2:Measuringmethods

(IEC62007-2:1999,IDT)

2009-11-17发布2010-01-01实施

SJ中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T11405—2009

目次

前言 III

1范围 I

2规范性引用文件 1

3光发射器件测量方法 I

3.1带或不带尾纤的发光二极管(L.ED)、红外发射二极管(IRED)、激光二极管的辐射功率或正向电流

1

3.2带或不带尼纤的红外发射二极管、发光二极管的开关时间 2

3.3带或不带尼纤的发光二极管(LED)、红外发射二极管(IRED)和激光二极管的小信号截止频率(fc)

4

3.4带或不带尾纤的激光二极管的阈值电流 4

3.5带或不带尼纤的发光二极管(LED)、红外发射二极管(IRED)和激光二极管的相对强度噪声 6

3.6带或不带尾纤的激光二极管的开关时间 7

3.7带或不带尼纤的发光二极管、红外发射二极管、激光二极管的载波噪声比 8

3.8带或不带尼纤的发光二极管、红外发射二极管、激光二极管及激光模块的Si参数 10

3.9带尾纤、带或不带致冷器的激光模块的跟踪误差 11

3.10带或不带尾纤的激光二极管的光谱线宽 12

3.11发光二极管(LED)和红外发射二极管(IRED)在1dB压缩点的调制电流(p(1dB)) 14

3.12发光二极管(LED)和红外发射二极管(IRED)的双频差拍失真(D12\D21) 15

3.13激光二极管或激光二极管模块的中心波长(λ)和均方根光谱带宽(△λms) 17

3.14光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管或激光模块的复合失真 19

3.15光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管或激光二极管模块的二阶和三阶互调失真 21

3.16带或不带尾纤的激光二极管或激光模块的微分效率(n) 23

3.17带或不带尼纤的激光二极管的微分电阻ra(正向) 24

3.18模拟激光器的载噪比 24

3.19光学调制深度 26

4光探测器件测试方法 28

4.1PIN光电二极管的噪声 28

4.2带或不带尼纤的雪崩光电二极管的过剩噪声因子 29

4.3带或不带尼纤的光电二极管的小信号截止频率 31

4.4带或不带尼纤的雪崩光电二极管(APD)的倍增因子 32

4.5带或不带尼纤的PIN光电二极管或雪崩光电二极管(APD)的开关时间 33

4.6PIN-FET组件的响应度 36

4.7PIN-FET组件的频率响应平坦度(AS/S) 37

4.8PIN-FET组件的输出噪声功率谱密度Pmox 38

4.9PIN-FET组件的低频输出噪声功率谱密度(Pm)和转折频率(m 39

4.10PIN-FET组件的最小可探测功率 40

4.11模拟PIN二极管的二阶和三阶互调失真 42

SJ/T11405—2009

附录A(资料性附录)标准对照表 4

附录B(资料性附录)本部分中的条款号与IEC62007-2:1999条款号对照表 45

H

II

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前言

《光纤系统用半导体光电子器件》的预计结构如下：第1部分：基本额定值和特性：

第2部分：测量方法

本部分等同采用IEC62007-2:1999《光纤系统用半导体光电子器仁第2部分：测量方法》(英文版)

为了便于使用，本部分做了下列编辑性修改：

-用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”:—-删除国际标准的前言：

—为了保持标准结构的统，删除了原文图中的图题部分；

为了使本部分中的图号具有连续性，将原图号“图46～图49”改为“图32～图35”,原图号“图

32~图45”改为“图36～图49”;

—为了便于引用，