SJ∕T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.docx

ICS31.080.30

L42

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T1830—2016

代替SJ/T1830-1981

半导体分立器件

3DK101型NPN硅小功率开关晶体管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor

type3DK101

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T1830——2016

前言

本规定按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本规定代替SJ/T1830—1981。与SJ/T1830—1981相比，本规定主要技术变化如下：——本规定外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。

——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规定中合并为tor(关断时间),

II

SJ/T1830—2016

引言

本规范适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。

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SJ/T1830—2016

半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

本规定适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规定按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。

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SJ/T1830—2016

中华人民共和国工业和信息化部

评定器件质量的根据：

GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：

分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》

SJ/T1830—2016

半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

1外形尺寸

外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-01B型的规定。

2简略说明

开关用环境额定的双极型晶体管半导体材料：硅

封装：金属封装(空腔)

应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。

ΦD

ΦD

Φa

①

Qps@x

云p0.500

Φ0

Φb

45

O

3质量评定类别

Ⅱ类

参考数据(T=25℃)

Pto=200mWIc=40mA

Vcao=30V(3DK101A、B)VcBo=20V(3DK101C)

VcEo=20V(3DK101A)VCEo=25V(3DK101B)VcEo=15V(3DK101C)

VEBo=4V

f≥300MHhFE:25～180

1.发射极2.基极3.集电极

单位为毫米

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

4.32

一

5.33

Φa

2.54

Φb

1.01

Φb?

0.40

0.51

ΦD

5.31

5.84

ΦD

4.53

4.95

j

0.92

1.04

1.16

K

0.51

1.21

L

12.5

25.0

L

—

1.27

3

SJ/T1830—2016

4规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封

GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937—1995

半导体器件机械和气候试验方法

GB/T6218—1996

开关用双极型晶体管空白详细规范

GB/T7581—1987

半导体分立器件外形尺寸

GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范

5极限值(绝对最大额定值)

极限值见表1。除非实对规定，这些极限值在整个工作温度范围内适。极限值

条款

号

参

符号

数

单位

最小值

最大值

4.1

工作环境温度

Tab

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