SJ_T 11820-2022 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法.docx

ICS17.220CCSL85

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11820—2022

半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法

TechnologyrequirementsandtestmethodsfordiscretesemiconductorDCparameterstestinstruments

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T11820—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国电子测量仪器标准化技术委员会提出并归口。

本文件起草单位：中国电子技术标准

本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、深圳市施罗德工业集团有限公司。

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SJ/T11820—2022

半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法

1范围

本标准规定了半导体分立器件直流参数测试设备(以下简称“分立器件测试设备”)的术语和定义、技术要求、测量方法。

本标准适用于直流电压输出和直流电压测量范圃不超过0.01V~5000V,直流电流输出和直流电流测量范围不超过1nA~10A,脉冲里流输出和脉冲电流制范围不超过10A~1200A的分立器件测试设备。

2规范性引用文件

本文件没有规成性引用文件

3术语和定义

下列材语知是义适用于文件3.1

直流参数、DCparameters

在规定条件下表征半导体分立器件直流或脉冲电气特性的参数。注：二极毓参数：击芽笔庄、反向直流电流正向直流电压、稳定地压。

双极晶体管直流参数：集电极基极击字电压发射板基极面学电压，集电极发射极声穿电压、集电极基极截止电流、集电极发射极截止电流、发射极基极截止电流、共发射极正向电流传输比的静态值、集电极发射极饱和电压发射极饱和电压。

场效应晶体重直直参数：栅一源阈值电压、漏极电流、静态漏一源通态电阻、海-通态电压、漏一源击穿电压、栅-派和路时的漏极电流、漏一源短路时栅极截止电流。

绝缘栅双极晶体库流参数：集电极一发射极击穿电压、发射极一集电极击穿电压袋电极一发射极饱和电压、栅极阈电匡、栅压时集电极电流、栅极—发射极漏电流、正向跨导。

4技术要求

4.1外观要求

分立器件测试设备外表不应有划伤、玷污等痕迹。

分立器件测试设备外露件不能有影响工作性能的机械损害或脱落。

分立器件测试设备面板不应有影响读数的缺陷，机壳或铭牌上应标有产品名称、型号规则、出厂编号、生产厂家或商标标志。

分立器件测试设备开关、按键应灵活可靠，接插件接触应保持良好。

分立器件测试设备高压和大电流端应有明显标志。分立器件测试设备供电电源标志应正确无误。

4.2功能要求

4.2.1输出功能

分立器件测试设备输出功能应包括直流电压输出、直流电流输出、脉冲电流输出等的一种或多种。

4.2.2测量功能

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分立器件测试设备测量功能应包括直流电压测量、直流电流测量、脉冲电流测量等的一种或多种。

4.2.3显示功能

分立器件测试设备应具备产品标准规定的半导体分立器件直流参数显示功能，并显示与其量值对应的计量单位。当选择不同测量功能时，应能显示相应内容及结果。

4.2.4自检功能

分立器件测试设备如有自检功能，应正常通过。

4.3电气性能要求

分立器件测试设备电气性能要求见表1。

表1电气性能技术要求

序号

电气性能

技术要求

测量方法

1

直流电压输出误差

不应超过-2%～2%

按4.3.3.1

2

直流电压测量误差

不应超过-2%～2%

按4.3.3.2

3

直流电流输出误差

不应超过-3%～3%

按4.3.3.3

4

直流电流测量误差

不应超过-3%～3%

按4.3.3.4

5

脉冲电流输出误差

不应超过-2%～2%

按4.3.3.5

6

脉冲电流测量误差

不应超过-2%～2%

按4.3.3.6

7

直流电阻误差

不应超过-1%～1%

按4.3.3.7

8

直流参数测量误差

不应超过-6%～6%

按4.3.3.8

5测量方法

5.1测量条件

除非在产品标准中另有规定，测量条件应符合下述要求：——温度：15℃~35℃;

——湿度：(25～75)%RH;——大气压：86kPa～106kPa;

——电源：分立器件测