SJ∕T 2215-2015 标准名称半导体光电耦合器测试方法.docx

ICS31.080.01L50

备案号：50542-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2215—2015

代替SJ2215.1～2215.14—1982

半导体光电耦合器测试方法

Measuringmethodsforsemiconductorphotocouplers

2015-04-30发布2015-10-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2215—2015

目次

前言 IⅢ

1范围 1

2规范性引用文件 1

5

5.19传递系数 24

5.20非线性度 25

5.21零位电压 26

5.22通态直流电压 27

5.23断态直流电流 28

5.24维持电流 28

5.25输入触发电流 29

I1

SJ/T2215—2015

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替了SJ/T2215.1～2215.14—1982《半导体光耦合器测试方法》,修订时结合了国内产品的具体情况，除编辑性修改外主要技术变化如下：

——增加了术语和定义(见第3章);

修改了测试环境条件(见4.1),增加了测量和试验用标准大气条件(见4.1.1)、仲裁测量和

试验用标准大气条件(见4.1.2):

——增加了对示波器的误差要求(见4.2.4);

集电极一发射极反向击穿电压修改为集电极一发射极击穿电压(见5.6)——输出饱和压降修改为集电极一发射极饱和电压(见5.7);

——反向截止电流修改为输出截止电流(见5.8);——直流电流传输比修改为电流传输比(见5.9):

——脉冲上升、下降、延迟、贮存时间修改为脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间，增加了测量原理图，细化了测量步骤(见5.10);

——隔离电容测试细化了测量步骤(见5.11.3):——隔离电阻测试细化了测量步骤(见5.12.3);

——增加了输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、带宽、快递系数、非线性度、零位电压、通态直流电压、断态直流电流、维持电流和输入触发电流的测试方法(分别见5.14,5.15,5.16,5.17,5.18,5.19,5.20,5.21,5.22,5.23,5.24和5.25);

——补充了测试方法的规定条件(见第5章),细化了测量步骤(见第5章)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所。

本标准主要起草人：马思华、欧熠、陈春霞、李刚毅、徐道润。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——SJ2215.1～2215.14—1982

SJ/T2215—2015

半导体光电耦合器测试方法

1范围

本标准规定了半导体光电耦合器(以下简称“器件”)的测试方法。本标准适用于半导体光电耦合器。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应是必木可少的。凡是注日期的引文件仅庄日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用立件必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文性。

GB/T2421.1—2008电工电子产品环境试验概述和指南GB/T11499-2on半导体为立溶空符号

GB/T15651-半导体器件分立器集成电路第分：光电子器件

3术语和定义

GB/T11409-20d1、GB/I1s651i995界定的以于列术请，定义和符号适文件。

3.1

正向电压输二极管)forwardvomge

Y

输入二极管正地液为规定值时，正负极之间所产生的电压降。3.2

正向电流(二极管ardctrent

Ip

在被测二极管两端加一定的压向电时流

3.3

反向电流(二极管)reversecurrent

IR

在被测二极管两端加规定反向电压Vr时通过二极管的电流。3.4

反向击穿电压(二极管)reversevoltage

VBR

被测二极管的反向电流[g为规定值时，在其两极间所产生的电压降。

2

SJ/T2215—20153.5

结电容junctioncapacitanceC

在规定的偏压下，器件输入端的电容值。

3.6

集电极-发射极击穿电压collector-emittervoltage

V(BR)CEO