SJ_T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范.docx

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中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11866—2022

半导体光电子器件

硅衬底白光功率发光二极管详细规范

Semiconductoroptoelectronicdevices—

Detailspecificationforpowerwhitelight-emittingdiodesonsiliconsubstrate

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T11866—2022

目次

前言 I

引言 IV

1范围 1

2规范性引用文件 1

III

SJ/T11866—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

本文件属于发光二极管器件系列标准，是GB/T36358—2018半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范下的详细规范。发光二极管器件系列标准已出版了以下几个部分：

——GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范；——GB/T12565—1990半导体器件光电子器件分规范；

——GB/T36358—2018半导体光电子器件一功率发光二极管空白详细规范；——SJ/T11400—2009半导体光电子器件T水功率发光二极管空白详细规范；

——GB/T36360—2018半导体光电于器件中功率发极管空白详细规范。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不子担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研究院归口。

本文件起草单位：晶能光电(江西)有限公司、中国电子技术标准化研究院江西省晶能半导体有限公司、南昌光各光年业业研究院有限公司、中节能晶和科技有限公司、汇西省绿野汽车照明有限公司、深圳市长方集团股伤有限公司，惠州雷上光电科技有限公司、长春常达电子技不有限公司、上海三思电子工程有限公司深圳市洲阴科技股份有限公司、中国光学光电子协会，惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、中国计量科学研究院、汪西通用节能科技有限公司、昌高新区光电产业联盟。

本文件主度起草人：王微、刘秀娟、江柳杨、涂洪平、封波、尹江涛、王志、要利平、曾平、涂鸿斌、刘志图、果芳超、洪眉，成森继、于琼，向健勇、白莹杰、的飞龙、陈赤。

IV

SJ/T11866—2022

引言

LED器件系列规范规定了LED器件的基本特性及评价要求，为LED器件产品的测试、评价等提供适当的依据。

硅衬底白光功率发光二极管详细规范是LED器件系列空白详细规范的细化，主要规定了硅衬底白光功率发光二极管的要求、基本额定值和特性、测试方法、质量保证规定等内容。该系列标准包括：

——半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范； 半导体器件光电子器件分规范：

——半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范；

——半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范；

——半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范。

——半导体光电子器件硅衬底白光功率发光二极管详细规范。

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SJ/T11866—2022

半导体光电子器件

硅衬底白光功率发光二极管详细规范

1范围

本文件规定了硅衬底白光功率发光二极管的详细要求，包括器件结构、性能要求，检验方法，检验规则以及包装、标志、运输和储存等。

本文件适用于硅衬底白光功率发光二极管(以下简称“器件”)的生产、研制和检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适阻本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2422.i2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A低温

GB/T2443,22008电工电家离品环境试验第2部分：民验方法试验B:高温

GB/T24233+-2016电工电子产品环境试验第3部分：试验方法试验Cab:恒定湿热试验

GB/T24284-2008电工电子产品环境试验第4部分：试当方法试验Db:交变湿热(12h+12h循环)

GB/T242322-2012环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化

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