GBT 12669-2012 半导体变流串级调速装置总技术条件.docx

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中华人民共和国国家标准

GB/T12669—2012

代替GB/T12669—1990

半导体变流串级调速装置总技术条件

Generalspecificationforcascadespeedcontrolassemblywithsemiconductorconverter

2012-06-29发布2012-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发布

GB/T12669—2012

目次

前言 I

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4技术要求 3

4.1主要技术参数 3

4.2环境条件 3

4.3基本要求 6

5试验 10

5.1试验分类 10

5.2试验项目 10

5.3试验方法 12

6标志、包装、运输、贮存 17

6.1标志 17

6.2包装与运输 17

6.3贮存 18

I

GB/T12669—2012

前言

本标准依据GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T12669—1990《半导体变流串级调速装置总技术条件》。本标准与GB/T12669—1990相比主要技术变化如下：

—-在范围一章中增加了“内馈混极式无刷交流电机、混极式无刷双馈交流电机”(见第1章);——增加了“斩波器”、“逆变颠覆”术语定义(见3.6及3.14);

———增加“适配电动机额定功率、额定电压”的内容(见4.1.1～4.1.2);——增加“斩波器单元的技术特征”的内容(见4.3.7);

-—增加了“超温保护、缺相保护、逆变颠覆保护”的内容(见4.3.9)

将“干扰与抗干扰试验”改为“EMC试验”(见4.3.13,1990版4.3.16);

———增加了“装置应具备的输入输出信号”和“装置结构与外形尺寸”内容(见4.3.16～4.3.17);———增加了“超温保护试验”、“缺相保护试验”、“逆变颠覆保护试验”内容(见5.3.10.5～5.3.10.7);

——增加了“EMC试验”内容(见5.3.12);

——将“高、低温循环试验”、“高温存放试验”、“振动试验”、“跌落冲击试验”纳入“环境试验”项目下(见5.3.15)。

本标准由中国电器工业协会提出。

本标准由全国电力电子学标准化技术委员会(SAC/TC60)归口。

本标准主要起草单位：广东华拿东方能源有限公司、天津电气传动设计研究所。本标准主要起草人：张森、董桂敏、苏勇华、刘娟。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：———GB/T12669—1990。

1

GB/T12669—2012

半导体变流串级调速装置总技术条件

1范围

本标准规定了半导体变流串级调速装置的术语和定义、技术要求、试验、标志、包装、运输和贮存。

本标准适用于利用半导体电力变流器调节交流绕线转子感应电动机、内馈混极式无刷交流电机和混极式无刷双馈交流电机速度的串级调速装置(以下简称装置)。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

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