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ICS31.080.30
L42
备案号:
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T1838—2016
代替SJ1838-1981
半导体分立器件
3DK29型NPN硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductordiscretedevices
DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistortype3DK29
2016-04-05发布2016-09-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T1838—2016
前言
本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本规范代替SJ/T1838—1981。与SJ/T1838—1981相比,本规范主要技术变化如下:——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。
——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规范中合并为tof(关断时间),
II
SJ/T1838—2016
引言
本规范适用于3DK29型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。
1
SJ/T1838—2016
半导体分立器件3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
中华人民共和国工业和信息化部
评定器件质量的根据:
GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:
分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》
SJ/T1838—2016
半导体分立器件3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
1外形尺寸
外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3—02C型的要求。
①D①a
45°
250
0
①bl
b2
1.发射极2.基极3.集电极
单位为毫米
简略说明
开关用环境额定的双极型晶体管
半导体材料,硅金属封装(空腔)
应用:备种电路中作开头及高频放大与振荡用。
3质量评定类别Ⅱ类
参考数据=25℃)
1000W
Ic=500mA
co=25V(3DK29A、C
VcBo=40V(3DK29B、p)
VcEo=15V(3DK29A、CVCEo=30V(3DK29B、D)
VEBo=4N
f≥400MH
25~180
符号
尺寸数值
最小
标称
最大
A
6.70
9.90
Φa
——
5.08
—
Φb
——
1.01
Φb?
0.40
0.51
ΦD
8.64
一一
9.39
ΦD
8.01
8.50
j
0.71
0.79
0.87
K
0.74
1.14
L
12.5
25.0
L
1.27
2
SJ/T1838—2016
4规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2423.23—2013环境试验第2部分:试验方法试验Q:密封
GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法
GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸
GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非另有规定,这些极限值在整个工作温度范围内适用。
表1极限值
条款号
参数
符号
数值
单位
最小值
最大值
4.1
工作环境温度
T
-55
125
℃
4.2
贮存温度
Tstg
-55
175
℃
4.3
最大集电极—基极直流电压
3DK29A3DK29B3DK29C3DK29D
cB
—
—
25
40
25
40
V
4.4
最大集电极—发射极直流电压
3DK29A3DK29B3DK29C3DK29D
Vceo
——
15
30
15
30
V
4.5
最大发射极—基极直流电压
VB
一
4
V
4.6
最大直流集电极电流
Icx
一
500
mA
4.
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