SJ∕T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.docxVIP

ICS31.080.30

L42

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T1839—2016

代替SJ1839-1981

半导体分立器件

3DK108型NPN硅小功率开关晶体管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor

type3DK108

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T1839—2016

前言

本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本规范代替SJ/T1839—1981。与SJ/T1839—1981相比，本规范主要技术变化如下：——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。

——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和tg(下降时间)在本规范中合并为tor(关断时间),

II

SJ/T1839—2016

引言

本规范适用于3DK108型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。

1

SJ/T1839—2016

半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国工业和信息化部

评定器件质量的根据：

GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：

分立器件和集成电路总规范》GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》

SJ/T1839-2016

半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

1外形尺寸

外形符合GB/T7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-02C型的规定。

①D①a

45

Φb1

Db2

1.发射极2.基极3.集电极

单位为毫米

2简略说明

开关用双极型晶体管

半导体材料：硅金属封装(空腔)

应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。

3质量评定类别Ⅱ类

考数据T=25℃)

=1800mW

Ic=1000mA

VCBo=40V(3DK108A

VcBo=60V(3DK108B、DVcEo=30V(3DK108A、C)VCEo=45V(3DK108B、D)

Yo=4V

≥200MH

hg:25～180

C

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

6.70

9.90

Φa

5.08

Φb

1.01

Φb?

0.40

——

0.51

ΦD

8.64

—

9.39

ΦD

8.01

8.50

j

0.71

0.79

0.87

K

0.74

1.14

L

12.5

25.0

L?

1.27

2

SJ/T1839—2016

4规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封

GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法

GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸

GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范

5极限值(绝对最大额定值)

极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。

表1极限值

章条号

参数

符号

数值

单位

最小值

最大值

4.1

工作环境温度

Ta

-55

125

℃

4.2

贮存温度

Ttg

-55

175

℃

4.3

最大集电极-基极直流电压

3DK108A3DK108B3DK108C3DK108D

Vso

一——

40

60

40

60

V

4.4

最大集电极-发射极直流电压

3DK108A3DK108B3DK108C3DK108D

Vceo

30

45

30

45

V

4.5

最大发射极-基极直流电压

Vn

—

4

V