GB∕T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法.docxVIP

ICS77.040H21

中华人民共和国国家标准

GB/T1550—2018

代替GB/T1550—1997

非本征半导体材料导电类型测试方法

Testmethodsforconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T1550—2018

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T1550—1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》,与GB/T1550—1997相比主要技术变化如下：

——适用范围修改为“本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体

材料可参照本标准测试”(见第1章，1997年版的第1章);——增加了术语和定义(见第3章);

——将原标准的1.2～1.9修改为“4.1总则”(见4.1,1997年版的1.2～1.9);

——修改了方法A、方法D?、方法D?的适用范围(见4.1.2、4.1.5、4.1.6,1997年版的1.3、1.6、1.7);——增加了方法E(表面光电压法)测试导电类型(见4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5);

——增加了“如果采用9.1～9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度，则表明试样表面无沾污或氧化层。如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，可采

用8.2中的方法对试样表面进行处理。”(见9.6);——增加了试验结果的分析(见第10章)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本标准起草单位：乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、广州市昆德科技有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、浙江海纳半导体有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、峨嵋半导体材料研究所、洛阳中硅高科技有限公司、中锗科技有限公司、云南冶金云芯硅材股份有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。

本标准主要起草人：梁洪、王莹、赵晓斌、高英、王昕、王飞尧、黄黎、徐红骞、邱艳梅、刘晓霞、杨旭、张园园、刘新军、徐远志、程小娟、潘金平、肖宗杰。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：——GB1550—1979、GB/T1550—1997;——GB5256—1985。

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GB/T1550—2018

非本征半导体材料导电类型测试方法

1范围

本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。

本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。

本标准不适用于分层结构材料(如外延片)导电类型的测试。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法提要

4.1总则

4.1.1本标准包括五种测试方法：方法A——热探针法；方法B——冷探针法；方法C——点接触整流法；方法D——全类型法，包括方法D?——全类型整流法，方法D?——全类型热电势法；方法E——表面光电压法。

4.1.2方法A:适用于电阻率20Ω·cm以下的N型和P型锗材料及电阻率1000Ω·cm以下的N型和P型硅材料。

4.1.3方法B:适用于电阻率20Ω·cm以下的N型和P型锗材料及电阻率1000Ω·cm以下的N型和P型硅材料。

4.1.4方法C:适用于电阻率1Ω·cm～1000Ω·cm的N型和P型硅材料。

4.1.5方法D?:适用于电阻率1Ω·cm～36Ω·cm的N型和P型锗材料及电阻率0.1Ω·cm~3000Ω·cm的N型和P