GB∕T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度(引线牢固性).docx

ICS31.080.01L40

中华人民共和国国家标准

GB/T4937.14—2018/IEC60749-14:2003

半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part14:Robustnessofterminations(leadintegrity)

(IEC60749-14:2003,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会

发布

GB/T4937.14—2018/IEC60749-14:2003

前言

GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成：——第1部分：总则；

——第2部分：低气压；——第3部分：外部目检；

——第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST);——第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验；

——第6部分：高温贮存；

——第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析；

——第8部分：密封；

——第9部分：标志耐久性；——第10部分：机械冲击；

——第11部分：快速温度变化双液槽法；——第12部分：扫频振动；

——第13部分：盐雾；

——第14部分：引出端强度(引线牢固性); 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热：——第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND);——第17部分：中子辐照；

——第18部分：电离辐射(总剂量);——第19部分：芯片剪切强度；

——第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响；

——第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输； 第21部分：可焊性

——第22部分：键合强度；

第23部分：高温工作寿命

——第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT);——第25部分：温度循环；

——第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM);——第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM);

第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级——第29部分：闩锁试验；

——第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理；

——第31部分：塑封器件的易燃性(内部引起的);——第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的);

第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮；——第34部分：功率循环；

第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查：——第36部分：恒定加速度；

I

Ⅱ

GB/T4937.14—2018/IEC60749-14:2003

——第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法；——第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法；

——第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；——第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法；

——第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法；——第42部分：温度和湿度贮存；

——第43部分：集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南；

——第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。本部分为GB/T4937的第14部分。

本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本部分使用翻译法等同采用IEC60749-14:2003《半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。

本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学微电子研究院、无锡必创传感科技有限公司。

本部分主要起草人：裴选、高金环、彭浩、宋玉玺、柳华光、崔波、张威、陈得民、周刚。

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GB/T4937.14—2018/IEC60749-14:2003

半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)

1范围

GB/T4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。

本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验