SJ_T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法.docxVIP

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中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11824—2022

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率

测试方法

Testmethodforeffectiveoutputcapacitanceandchangeratewithvoltageofmetaloxidesemiconductorfield-effecttransistor

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

SJ/T11824—2022

目次

前言 I

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4测试方法 1

4.1等效电容测试 1

4.1.1通则 1

4.1.2等效电容测量方法 2

4.2电压变化率测试 4

4.2.1通则 4

4.2.2电压变化率测试 4

SJ/T11793—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研究院归口。

本文件起草单位：西安芯派电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团第十三研究所

磊

1

SJ/T11824—2022

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法

1范围

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率的测试方法。

本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过义中的规枪性引用而构成本文件必不可步的备款其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T45894率导体器件。第8部分：场效应晶体管

GB/T导体器件分立器机集成电路第1部分：总则

3术语和走义

下列未语和定义适用于本文件3.1

基于能量相等的等效电容effectiveoutputcapaeitance,energyrelated

Coer

在规定的电压下，处子截征状态的金属氧化物导体场效应晶体管(MOsFEh的结电容储存一定

的能量，体据能量相等按电容储存能量模型计算出的电容值。注：通常为单次。

3.2

基于电荷(时间相等的等效电容effectiveoutputcapacitance,chagerelated(timerelated)Cotr

在规定的电压下，处于械止状态的金属氧化物半导体场效应晶体看(MOSFET)的结电容储存一定的电荷，依据电荷相等按电容储存电荷模型计算出的电容值。

注：通常为单词测试3.3

电压变化率voltageratechange

dv/dt

栅极-源极短接，金属氧化物半导体场效应品体管(MOSFET)处于截止状态，所能耐受的漏极-源极电压变化率的极限。

注：取电压幅值的25%到75%两点间测定该值，见图2.

4测试方法

4.1等效电容测试

4.1.1通则

图3电路图适用于N沟道器件。通过改变仪器、发生器和电源的极性，则能适用于P沟道器件。GB/T17573—1998给出的操作注意事项和测量发生程序适用。

2

SJ/T11824—2022

4.1.2等效电容测量方法4.1.2.1目的

在规定的条件下，测量金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的等效电容Coer或Cou。注：通常为单次测试。

4.1.2.2电路图和波形

测试电路图和波形如图1和图2所示。

GND

图1N沟道MOSFEI等效电容测试电路

3

SJ/T11824—2022

图2等效电容测试波形

4.1.2.3电路说明

测试电路的说明如下：Vee为可调直流电压源：

电路保护电阻R的选取应使DUT的充电电流大小合适，以方便监测电压Vas和充电电流Ia;SW为开关；

DUT为受试器件。

4.1.2.4测试程序

应按以下程度进行测试

a)设定直流电压源Vc电压为规定值，其设定值要大于规定电压V?,