GB∕T 4937.19-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度.docxVIP

ICS31.080.01L40

中华人民共和国国家标准

GB/T4937.19—2018/IEC60749-19:2010

半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part19:Dieshearstrength(IEC60749-19:2010,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会

发布

GB/T4937.19—2018/IEC60749-19:2010

前言

GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成：——第1部分：总则；

——第2部分：低气压；

——第3部分：外部目检；

——第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST);——第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验；

——第6部分：高温贮存；

——第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析；——第8部分：密封；

——第9部分：标志耐久性；——第10部分：机械冲击；

第11部分：快速温度变化双液槽法：——第12部分：扫频振动；

——第13部分：盐雾；

——第14部分：引出端强度(引线牢固性);———第15部分：通孔安装器件的耐焊接热；——第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND);——第17部分：中子辐照；

——第18部分：电离辐射(总剂量); 第19部分：芯片剪切强度；

——第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响；

——第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输；——第21部分：可焊性；

——第22部分：键合强度；

——第23部分：高温工作寿命；

——第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT);——第25部分：温度循环；

——第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM);——第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM);

——第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级；

——第29部分：闩锁试验；

——第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理；——第31部分：塑封器件的易燃性(内部引起的);

第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的):——第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮；

——第34部分：功率循环；

——第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查；——第36部分：恒定加速度；

I

GB/T4937.19—2018/IEC60749-19:2010

——第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法；——第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法；

——第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；——第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法；

——第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法；——第42部分：温度和湿度贮存；

——第43部分：集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南；

——第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。本部分为GB/T4937的第19部分。

本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本部分使用翻译法等同采用IEC60749-19:2010《半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。

本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市标准技术研究院。本部分主要起草人：裴选、彭浩、高瑞鑫、高金环、马坤。

Ⅱ

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GB/T4937.19—2018/IEC60749-19:2010

半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度

1范围

GB/T4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。

本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10mm2的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

注1:通过测量对芯片或元件所加力的大小，观察在该力作用下产生的失效类型(如果出现失效)以及残留的芯片附着材料和基板/管座金属化层外形来判断器件是否接收。

注2:对于空腔封装，芯片剪切强度试验是为了确定空