西工大2021年10月机考《电气系统仿真》作业参考答案非免费.docxVIP

西工大2021年10月机考《电气系统仿真》作业

试卷总分:100得分:100

答案???网叫福到（这四个字的拼音）

一、单选题(共20道试题,共40分)

1.使用Simulink进行离散系统仿真时，如果仿真50Hz电力系统，以下哪个仿真步长合适？（）

A.1s

B.10s

C.1ms

D.100μs

2.接入我国电网的两对极隐极同步发电机的稳态运行时的转速为（）。

A.1000r/min

B.1500r/min

C.2000r/min

D.3000r/min

3.以下哪项可以作为MATLAB的变量名？（）

A.1

B.3M

C.a-b

D.Messi

4.Simulink仿真同样的模型，采用10μs步长比采用500ns步长的仿真结果精度（）。

A.低

B.高

C.相等

D.不能比较

5.Simulink的哪个模块具有拖尾电流效应？（）

A.MOSFET

B.IGBT

C.二极管

D.晶闸管

6.MATLAB的plot命令中，哪一个选项代表绘制蓝色曲线？（）

A.‘b’

B.‘g’

C.‘k’

D.‘r’

7.以下哪种仿真算法在Simulink中是变步长算法（）。

A.ode1

B.ode2

C.ode3

D.ode23

8.以下哪一项不属于Powergui的功能？（）

A.显示测量电压、电流的稳态值

B.改变仿真初始状态

C.潮流计算

D.调整仿真时间

9.A=[123;456],size(A,1)和size(A,2)分别等于（）。

A.2,3

B.3,2

C.2,2

D.3,3

10.可以清除工作空间所有变量的命令是（）。

A.clc

B.clear

C.clean

D.delete

11.MATLAB中输入命令12的结果是（）。

A.Error

B.0

C.1

D.NaN

12.视在功率的单位是（）。

A.VA

B.W

C.kW

D.A

13.可关断晶闸管的缩写是（）。

A.IGBT

B.DIODE

C.BJT

D.GTO

14.电力系统中，PI型等效电路没有以下哪种元件？（）

A.电阻

B.电感

C.电容

D.二极管

15.MATLAB命令zeros(n,m)的功能是（）。

A.产生m行n列的全0矩阵

B.产生n行m列的全0矩阵

C.产生m行n列的全1矩阵

D.产生n行m列的全1矩阵

16.以下哪一项不是MOSFET的特点？（）

A.关断电流具有拖尾效应

B.导通压降小

C.开关频率高

D.无反向阻断特性

17.SimPowerSystems的二极管模型中如何取消并联缓冲电阻？（）

A.缓冲电阻设为inf

B.缓冲电阻设为0

C.缓冲电容设为inf

D.缓冲电容设为0

18.A=[111;222;333]，B=[11;22;33]，MATLAB命令A*B的运行结果为（）。

A.[222;444;666]

B.Error

C.[66;1212;1818]

D.[111;222;333]

19.PWM脉冲发生器的调制度（modulationindex）的幅值范围是（）。

A.[0,1]

B.[-1,1]

C.(0,1)

D.(-1,1)

20.S函数的输入参数flag的取值有（）种。

A.4

B.5

C.6

D.7

二、多选题(共10道试题,共20分)

1.SimPowerSystems库中提供了哪几种输电线路模型（）。

A.RLC串联支路模型

B.PI型等效电路模型

C.动态负荷模型

D.分布参数线路模型

2.晶闸管的导通条件为（）。

A.承受正向电压

B.门极有正触发脉冲

C.阳极电流小于0

D.门极电流小于0

3.以下哪些属于SimPowerSystem同步电机模块的参数？（）

A.额定参数

B.机械参数

C.内部阻抗

D.初始条件

4.SimPowerSystems库中提供了哪几种电力变压器模型（）。

A.单相饱和变压器模型

B.双绕组三相変圧器模型

C.互感线圈模型模型

D.移相变压器模型

5.以下哪些属于SimPowerSystem输电线PI型等效电路的参数？（）

A.基频

B.单位长度电阻、电感、电容

C.线路长度

D.线路损耗

6.以下哪些属于SimPowerSystem中IGBT模块的内部参数？（）

A.导通电阻

B.反向恢复时间

C.正向电压

D.缓冲电路阻值

7.常用电力系统分析软件有（）。

A.EMTP

B.PSCAD

C.PSASP

D.MATLAB

8.晶闸管的关断条件为（）。

A.阳极电流降为0

B.阳极电流下降过快

C.承受反向电压

D.门极信号为0

9.MOSFET相较于IGBT，优点是（）。

A.开关频率高

B.耐