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《光电检测技术-题

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《光电检测》题库

一、填空题

光电效应分为内光电效应和外光电效应，其中内光电效应包括和 。

对于光电器件而言，最重要的参数是 、

和 。

光电检测系统主要由光电器件、 和 等局部组成。

为了取得很好的温度特性，光敏二极管应在较 负载下使用。

光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、 和等构成。

光电三极管的工作过程分为

和 。

激光产生的根本条件是受激辐射、和 。

检测器件和放大电路的主要连接类型有 、

和 等。

CCD的根本功能是 和 。

g本征硅材料的禁带宽度E=1.2eV，则该半导体材料的本征吸取长波限

g

为 。

非平衡载流子的复合大致可以分为 和 。12.在共价键晶体中，从最内层的电子直到最外层的价电子都正好填满相应的能带，能量最

高的是 填满的能带，称为价带。价带以上的能带 ，其中最低的能带常称为 ， 与 之间的区域称为 。

本征半导体在确定零度时，又不受光、电、磁等外界条件作用，此时导带中没有 ，价带中没有 ，所以不能 。

载流子的运动有两种型式， 和 。

发光二极管发出光的颜色是由材料的 打算的。

光电检测电路一般状况下由 、 、 组成。

光电效应分为内光电效应和 效应，其中内光电效应包括和 ，光敏电阻属于 效应。

导带和价带中的电子的导电状况是有区分的，导带 愈多，其导电力气愈强；而

价带的 愈多，即 愈少，其导电力气愈强。

半导体对光的吸取一般有 、 、 、 和这五种形式。

光电器件作为光电开关、光电报警使用时，不考虑其线性，但要考虑 。24.半导体对光的吸取可以分为五种，其中 和 可以产生光电效

应。

光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、 和 等构成，光电倍增管的光谱响应曲线主要取决于 材料的性质。

描述发光二极管的发光光谱的两个主要参量是 和 。

检测器件和放大电路的主要连接类型有 、 和等。

使用莫尔条纹法进行位移-数字量变换有两个优点，分别是和 。

27、电荷耦合器件〔CCD〕的根本功能是 和 。

28、光电成像器件的输出物理量与对应的输入物理量的比值关系常用转换特性来表示，不同的光电成像器件往往用不同的参量来描述其转换特性，像管通常使用转换系数，像增加管常使用，摄像器件承受。

29、几何中心检测法进展光学目标的形位检测主要的处理方法有差分法、调制法、补偿法和跟踪法等，这些方法的主要依据是 。亮度中心检测法主要的处理方法有光学像分解和多象限检测等，这些方法的主要依据是 。

光电编码器可以依据其构造和数字脉冲的性质进展分类，依据信号性质可以

分为 和 。

交替变化的光信号，必需使所选器件的 大于输入信号的频率才能测出输入信号的变化。

随着光电技术的进展，可以实现前后级电路隔离的较为有效的器件

是 。

硅光电池在偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。

发光二极管的峰值波长是由 打算的。

光电成像器件的区分率是用来表示能够区分图像中明暗细节的力气，区分率常用二种方式来描述，一种为 ，另一种

为 。

二、名词解释

光亮度：

本征半导体：

N型半导体：

载流子的集中运动：

光生伏特效应：

内光电效应：

空穴：

居里温度：

热敏电阻：10.光电效应

量子效率

区分率

二次调制

二值化处理

光电检测技术

响应时间

热电偶

亮度中心检测法

三、推断正误

对于PMT器件，使用时必需选用线性好、响应快的器件。但仅能工作在可见光区，在红外区和紫外区的光信号则无法使用。〔 〕

热电偶是一种热敏元件，使用时必需加外电源才能正常工作。

直线性光电导的弛豫时间与光强有关。〔 〕

放射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射光的光强无关。〔 〕

热噪声不仅与温度成正比，还与频率有关。〔 〕

热电检测器件是将辐射能直接转换为电能的器件。〔 〕

探测器探测极限是由探测器材料的性质打算的。〔 〕

光电倍增管的光谱响应曲线主要取决于倍增级材料的性质。〔 〕

由于频率和相位调制都表现为总相角的变化，因此统称为角度调制。

〔 〕

光敏电阻具有前历效应，因此其响应频率较高。〔 〕

A/D变换量化误差不随输入电压变化而变化，是一种偶然误差。〔 〕

采样/保持电路起到信号保持作用的保持电容，电容容量愈大电压下降愈慢，所以保持电容越大越好。〔〕

光电倍增管的光电阴极上放射出光电子的最大速度随入射光光子能量的增大而增大。

〔 〕

影响光电器件探测极限的因素是噪声，噪声是可以消退或减小的。〔〕

光电倍增管的光谱响应曲线与光电阴极的光谱响应曲线一样，主要取决于光电