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中文摘要
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金刚石是一种具有宽禁带、高载流子迁移率、高击穿电压的半导体材料,在大功率
器件、耐复杂电磁环境设备、耐高温电子器材等领域具有广阔的应用前景。在半导体掺
杂过程中,硼是金刚石最常见的p型掺杂元素,目前已经实现了高效掺杂,且硼掺杂金
刚石具有良好的p型半导体特性。为了深入地理解硼杂质缺陷对金刚石半导体特性的影
响机理,非常有必要研究金刚石中的硼杂质缺陷,然而目前关于这方面的报道非常少。
基于这些情况,本论文通过电子辐
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