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理工材料科学基础2010参考答案

一、基本概念

1，空间利用率：晶胞中原子体积与晶胞体积比值。

空隙利用率：填充某种空隙的原子占该种空隙的比值。

2，位错滑移：在外力作用下，位错线在其滑移面上的，结果导致晶体的永久变形。

位错爬移：在热或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的，其结果导致

空隙或间隙质点的增殖或减少。

3，玻璃网络形成体：是容易在工艺过程中形成玻璃的具有高粘度和强度的氧化物。

玻璃网络改变体：指加入玻璃时，能够破坏玻璃网络并最终导致结晶的氧化物。

4，穿晶断裂：指通过晶粒而不是沿晶界发生的材料断裂。

蠕变断裂：指高温下材料发生的过度变形或，但不断裂。

5，应力腐蚀：金属材料在特定的腐蚀介质和拉应力共同作用下发生脆性断裂。

晶间腐蚀：金属材料在特定的腐蚀介质中沿材料晶界发生的一种局部腐蚀。

6，初次再结晶：从塑性变形的，具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大

过程。

二次再结晶：是胚体中少数大晶粒尺寸的异常增加，其结果是个别晶粒尺寸的增加，这

是区别于正常的晶粒长大的。

7，均态核化：熔体自发成核，称为均态核化。

非均态核化：由表面、界面效应、杂质或引入晶核剂等各种因素支配的成核过程。

8，矿化剂：在烧结过程中以某种形式加入的能降低烧结温度的物质。

二、作图题略

三、1，O/Si=3组群状结构

2，Be2+2-3+

与两个标高为65，2个标高为25的O配位，形成[BeO]四面体，Al与三个标

4

高为65，3个标高为85的O2-配位，形成[AlO]八面体，[BeO4]四面体和[AlO]八面

66

体之间公用标高为65，85的2个O2-离子，即共棱连接。

3，标高为65的O2-同时与一个Be2+，1个Al3+，1个Si4+相连。

234

静电强度=×1+×1+×1=2=O2-的电荷数，所以电价饱和。

464

4，绿宝石结构中的六节环内没有其他例子存在，使晶体结构中存在大的环形空腔，当有

电价低，半径小的Na+离子存在时，在直流电场中会表现出显著离子导电，当晶体受

热时，质点热振动振幅增大，大的空腔使晶体不会有明显的膨胀，因而表现出较小的

膨胀系数。

四、1，图略

2，S1不一致熔融二元化合物S不一致熔融三元化合物

2

3，E1低共融点L⇔S+C+S

12

E2低共L⇔C+S+B

2β

E3双升点（单转）L+Bβ⇔S1+S2

E4双升点（单转