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PRM020N10S8
PFCDeviceCorporation
100VSingleN-ChannelMOSFET
MajorratingsandcharacteristicsPRM020N10S8
CharacteristicsValuesUnits
VDS100VDDDD
DDD
I(T=25℃)8.3ADD
DA
Max.RDS(ON)20m
TJOperatingJunction-55to+150oCSGG
TemperatureSSS
SOP-8
GeneralDescription
TheN-Channelenhancementmodepower
fieldeffecttransistorisusingtrenchDMOS
technology.Thisadvancedtechnologyhas
beenespeciallytailoredtominimize
on-stateresistance,providesuperior
switchingperformance,andwithstandhigh
energypulseintheavalancheand
commutationmode.Thedeviceiswell
suitedforhighefficiencyfastswitching
applications.
TypicalApplicationsFeatures
ChargerAdapter
Max.R20mΩ@V10V
PowerToolsDS(ON)GS
Improveddv/dtcapability
LEDLighting
Fastswitching
100%EGuaranteed
AS
GreenDeviceAvailable
Dec-2015Version4.1
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