电子行业深度报告：先进封装助力产业升级，材料端多品类受益.pdf

行业深度报告

目录

1、互连工艺升级是先进封装的关键，材料升级是互连工艺升级的基础5

1.1、凸块（Bumping）：多种先进封装形式的基础工艺5

1.2、重布线层（RDL）：芯片电气延伸与互连的桥梁8

1.3、硅通孔（TSV）：立体集成工艺的核心关键9

1.4、混合键合：缩小Bumppitch间距，扩大互连带宽12

2、先进封装带动半导体材料新需求，多品类有望受益14

2.1、PSPI光刻胶14

2.2、深孔刻蚀类电子特气18

2.3、电镀液21

2.4、靶材24

2.5、CMP材料临时键合胶28

2.5.1、抛光垫30

2.5.2、抛光液33

2.5.3、临时键合胶35

2.6、环氧塑封料硅/铝微粉37

2.6.1、环氧塑封料37

2.6.2、硅微粉/铝微粉40

3、国内先进封装产业链受益标的45

4、风险提示46

图表目录

图1：各类型先进封装主要包含bumping、RDL、TSV及键合等互连工艺5

图2：凸块（bumping）工艺流程主要分为8个步骤7

图3：Bump尺寸与间距随着技术提高，逐步缩小8

图4：重布线层（RDL）将I/O重新分配到芯片边缘8

图5：重布线层（RDL）关键工序流程主要由十个步骤组成9

图6：FANIN和FANOUT型RDL工艺9

图7：RDL在台积电InFO_OS技术中为核心关键9

图8：TSV（硅通孔）工艺将多层平面进行堆叠互连10

图9：TSV中介转接层加工工艺主要由12个工艺流程组成11

图10：低深宽比TSV图像传感器封装工艺主要包含十个工艺流程11

图11：TSV制造成本结构（Via-Middle方案）中临时键合/解键合占比最高，为17%12

图12：TSV制造成本构成（Via-Last方案）中铜电镀占比最高，为18%12

图13：混合键合显著提升键合技术性能12

图14：HybridBoding工艺比传统焊接工艺步骤减少13

图15：HybridBonding工艺在3D封装中的应用13

图16：混合键合工艺中Wafer-to-wafer工艺流程14

图17：混合键合工艺中Die-to-wafer工艺流程14

图18：PSPI组合体系复杂15

图19：传统光刻胶方法和光敏聚酰亚胺方法光刻图案制作过程16

图20：PSPI是封装阶段RDL过程中的关键材料16

请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明2/48

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图21：中国集成电路晶圆制造用PSPI市场规模增长较