集成电路设计与验证 课件 4.1 项目四 任务一 长沟道MOS管工作原理认知.pdf

集成电路职业标准建设系列丛书

集成电路1+X职业技能等级证书系列丛书

高等教育出版社

01MOSFET工作原理

02IV特性推导

03沟道长度调制效应目录/CONTENT

04MOS管的跨导

05MOS管的小信号等效模型

MOSFET工作原理

lBJT是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运

行，所以被称为双极型器件。

l场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~iD)，工

作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。

lFET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到

了广泛应用。

N沟道

增强型

绝缘栅场效应管P沟道

耗尽型N沟道

FET分类：P沟道

N沟道

结型场效应管

P沟道

MOSFET工作原理

lMOS管的结构

（）

Bulkbody

MOSFET工作原理

lMOS管的结构

MOSFET工作原理

当VG大到一定

程度时，表面

势使电子从源

流向沟道区

VTH定义为表面

电子浓度等于衬

底多子浓度时的

VG

I/V特性—推导I(VDS,VGS)

W12

IDnCoxL[(VGSVTH)VDSVDS]

2

I/V特性—推导I(VDS,VGS)

当VDS2(VGS-VTH)时

W12

IDnCoxL[(VGSVTH)VDSVDS]

2

IDnCoxW(VGSVTH)VDS,VDS2(VGSVTH)

L

等效为一个线性电阻

1

RON

nCoxW(VGSVTH)

L

深三极管区