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在片电学参数标准件校准规范
1范围
本规范适用于低值电阻范围在1Ω~1000Ω、高值电阻范围在100MΩ~1GΩ，电容范
围在1pF~100pF（1kHz~1MHz）的在片电学参数标准件的校准。
2引用文件
无
3术语与定义
下列术语和定义适用于本规范。
3.1在片电学参数标准件on-waferelectricalparametersstandards
用于校准在片测试系统电学参数的量传标准件，为在片形式且赋有标准值，通常包
含低值电阻、高值电阻和电容三个参数，也有包含单参数或两个参数的标准件，其中低
值电阻包含在片短路器，电容包含在片开路器。
4概述
在片电学参数标准件是校准在片测试系统电学参数的标准件，一般采用半导体工艺
制作，由若干个在片电阻器、在片电容器构成。根据载体材料的不同，在片电学参数标
准件通常分为砷化镓（GaAs）、硅（Si）、陶瓷（ALO）等多种形式。
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5计量特性
5.1在片低值电阻
测量范围：1Ω~1000Ω；
最大允许误差：±1%。
5.2在片高值电阻
测量范围：100MΩ~1GΩ；
最大允许误差：±2%。
5.3在片电容
测量范围：1pF~100pF（1kHz~1MHz）；
最大允许误差：±2%。
注：以上技术指标不作合格性判断，仅供参考。
6校准条件
6.1环境条件
a）环境温度：（23±5）℃；
b）相对湿度：30%~75%；
c）供电电源：（220±22）V；（50±1）Hz；
d）周围无影响正常工作的电磁干扰和机械振动。
6.2测量标准及其他设备
6.2.1数字多用表
电阻测量范围：1Ω~1000Ω；
最大允许误差：±（0.002%~0.1%）。
6.2.2高阻计
测量范围：100MΩ~1GΩ；
最大允许误差：±0.1%。
6.2.3标准电容器
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测量范围：1pF~100pF（1kHz~1MHz）；
最大允许误差：±0.1%。
注：包含开路器。
6.2.4电容测量仪
测量范围：1pF~100pF（1kHz~1MHz）；
最大允许误差：±0.1%。
6.2.5探针台系统
温度设置范围：18℃~28℃；
最大允许误差：±1℃；
波动度：±0.2℃/min。
7校准项目和校准方法
7.1校准项目
表1校准项目一览表
序号校准项目校准方法条款
1在片低值电阻7.2.2
2在片高值电阻7.2.3
3在片电容7.2.4
7.2校准方法
7.2.1外观和工作正常性检查
a）在片电学参数标准件的外观应完好，表面无影响量值的污垢、水汽等杂质；
b）将在片电学参数标准件在校准环境中放置不小于2h，使用镊子将其取出并清理
表面，校准过程中应有严格的防泄漏措施；
c）将在片电学参数标准件放置在探针台上，所使用的探针卡/探针座的针尖应无磨
损和沾污，探针卡各个针尖的坐标位置应与在片电学参数标准件一一对应。探
针、探针卡均应定期清洁，必要时应及时更换。
7.2.2在片低值电阻的示值误差
使用数字多用表，通过探针座或探针卡直接测量在片电学参数标准件中的在片低值
电阻值，数字多用表的显示值即为在片低值电阻的实测值
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