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《集成电路设计基础》;上次课内容;第7章晶体管的SPICE模型;§7.1 引言;半导体器件模型;半导体器件物理模型;半导体器件等效电路模型;§7.2二极管及其SPICE模型;二极管在反向偏压很大时会发生击穿。专门设计在击穿状态下工作的二极管称为齐纳二极管。但二极管的电流电压方程没有预示这种击穿，实际电路设计中需借助SPICE等模拟工具来大致确定击穿电压值。;器件的电子噪声;二极管的噪声模型;§7.3双极型晶体管及其SPICE模型;EM电流方程：;虽然NPN晶体管常被设想为在两个N沟层之间夹着一个
P型区的对称型三层结构。但与MOS器件不同的是：集电区与发射区这两个电极不能互换。;改进的EM模型;EM小信号等效电路;双极型晶体管的GP模型;GP直流模型;§7.4MOS场效应晶体管及其SPICE模型;MOS1模型;（1）线性区（非饱和区）;MOS1模型器件工作特性;当VBS0时;MOS2模型;（1）短沟道对阈值电压的影响;MOS器件二阶效应;MOS器件二阶效应;MOS器件二阶效应;MOS器件二阶效应;MOS器件二阶效应;MOS器件二阶效应;MOS3模型;MOS3模型参数大多与MOS2相同，但其阈值电压、饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都是半经验公式，并引入了新的模型参数：η（EAT）、θ（THETA）和κ（KAPPA）。
下面分别讨论MOS3半经验公式及这三个参数的意义：;MOS3模型;MOS3模型;MOS3模型;MOS电容模型;（2）栅电容;MOS电容模型;串联电阻对MOS器件的影响;§7.5短沟道MOS场效应管BSIM3模型;短沟道MOS场效应管BSIM3模型;短沟道MOS场效应管BSIM3模型;短沟道MOS场效应管BSIM3模型;短沟道MOS场效应管BSIM3模型;短沟道MOS场效应管BSIM3模型;（3）饱和区（VGSVTH，VDS≥VDSAT）;短沟道MOS场效应管BSIM3模型;§7.6模型参数提取技术;模型参数提取技术;下次课：第8章集成电路设计仿真程序SPICE;本节课结束（1~52）;
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