GB_T 4937.27-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试 机器模型(MM).docxVIP

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ICS31.080.01CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/T4937.27—2023/IEC60749-27:2012

半导体器件机械和气候试验方法

第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试

机器模型(MM)

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part27:Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—

Machinemodel(MM)

(IEC60749-27:2012,IDT)

2023-05-23发布2023-12-01实施

发布国家市场监督管理总局

发布

GB/T4937.27—2023/IEC60749-27:2012

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件是GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》的第27部分。GB/T4937已经发布了以下部分:

——第1部分:总则:

——第2部分:低气压;

——第3部分:外部目检;

——第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);——第11部分:快速温度变化双液槽法;

——第12部分:扫频振动;——第13部分:盐雾;

第14部分:引出端强度(引线牢固性): 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热:——-第17部分:中子辐照;

——第18部分:电离辐射(总剂量);———第19部分:芯片剪切强度;

——第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;

——第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;

——第21部分:可焊性;

——第22部分:键合强度;

——第23部分:高温工作寿命;

—第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM);——第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM);

——第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;

——第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);——第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);——第42部分:温湿度贮存。

本文件等同采用IEC60749-27:2012《半导体器件机械和气候试验方法第27部分:静电放电

(ESD)敏感度测试机器模型(MM)》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动:

a)将4.2.4图1中的电气图形符号改为符合GB/T4728(所有部分)规定的电气图形符号;

b)第5章表1中的“等级电压”后面增加了电压符号“U”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。

I

GB/T4937.27—2023/IEC60749-27:2012

本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、安徽高芯众科半导体有限公司、武汉格物芯科技有限公司、河北中电科航检测技术服务有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、广东省中绍宣标准化技术研究院有限公司。

本文件主要起草人:迟雷、高金环、高蕾、辛长林、彭浩、张瑞霞、黄杰、何黎、赵鹏、魏兵、刘洪刚、

颜天宝、王介。

GB/T4937.27—2023/IEC60749-27:2012

引言

半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准,对于评价和考核半导体器件的质量和可靠性起着重要作用,拟由44个部分构成。

——第1部分:总则。目的在于规定半导体器件机械和气候试验方法的通用准则。——第2部分:低气压。目的在于检测元器件和材料避免电击穿失效的能力。

——第3部分:外部目检。目的在于检测半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合采购文件的要求。

——第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)。目的在于规定强加速稳态湿热试验(HAST),以检测非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性。

——第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验。目的在于规定稳态温湿度偏置寿命试验,以检测非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性。

——第6部分:高温贮存。目的在于在不施加电应力条件下,检测高温贮存对半导体器件的影响。

——第7部分:内部水汽测量和其他残余气体分析。目的在

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