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西华师范大学学生试卷
考试(考查) 2008年 01 月 日 共 页
题号
题号
一
二
三
四
五
六
七
八
总分
阅卷教师签名
得分
计算机学院通信工程专业2006级《模拟电路》试题A卷
注意事项:1.满分:100分。保持卷面整洁,否则扣卷面 2分。
交卷时请将试题卷和答题卷一起交,否则扣分。
学生必须将姓名、班级、学号完整填写在规定的密封栏目内,否则视为废卷。
学生必须签到,若出现遗漏后果自负。
一、填空题(共22分,每空2分)
二极管最主要的特性是 。
I1 I2 O I1 I2差分放大电路,若两个输入信号u=u,则输出电压u= ;若u =100?V,u =80?
I1 I2 O I1 I2
Id Ic则差模输入电压u= ?V;共模输入电压u ?V。
Id Ic
AA A3.若三级放大电路中 = =30?dB, =20?dB,则其总电压增益为
AA A
u1 u2 u3
倍。
如图所示的比例运算电路,图中的R1?10k?;
R ?30k?,则它的电压放大倍数为 ;
f
输入电阻为 。
场效应管通过控制 电压来控制输出电流,属于 控制器件,其输入电阻 。
二、选择正确答案填空(30分,每小题3分)
iD/mA-40u /VGS在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3
iD/mA
-4
0
u /V
GS
A.NPN
型硅管
B.
NPN
型锗管
5
C. PNP
型硅管
D.
PNP
型锗管
某场效应管的转移特性如图所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管
通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
,输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
,
11如图所示复合管,已知V的?
1
1
=30 V的?
=50,则复合后的?约为( )。
V1V222
V
1
V
2
2
2
稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区
已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。
积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
uIOtuoOt7.把长尾差动放大器中的R
u
I
O
t
u
o
O
t
A、提高差模增益 B、提高差模输入电阻C、提高共模增益 D、提高共模抑制比
8、理想运放应用于非线性区的特点是 ( )
A、两输入端电位为等于零;B、同相输入端电位为等于零;
C、两输入端电位相等,两输入端电流等于零;
D、两输入端电位相等,同相输入端电位高于反相端电位时输出为正值;同相输入端电位低于反相端电位时输出为负值。
9、若要求输入电阻大,输出电流稳定应选用( )
A、电压串联负反馈电路; B、电压并联负反馈电路;
C、电流串联负反馈电路; D、电流并联负反馈电路.
10、串联型稳压电路输出直流电压的调整由( )实现
A、基准电压电路; B、取样电路;
C、比较放大电路; D、调整管三、简答题:(每小题10分,共20分)
分析下示电路是正反馈还是负反馈,并说明反馈组态
画出理想二极管电路的传输特性(Vo~VI)
①VI25V,D1、D2均截止。
VO=25V
②VI25V,D1导通,D2截止
V
V
O
?(V?25)?200?25
I
300
V
O
?2V?25
3
I
3
③VI137.5V,D1、D2均导通。
四.(10分)放大电路如下图所示,已知:V =12V,R=10k?,R =120k?,R =39k?,
CC S B1 B2
R=3.9k?,R=2.1k?,R
=3.9k?,r =200?,电流放大系数?=50,电路中电容容量足够大,
C E
要求:
L bb’
+VRB1RC+VC
+V
R
B1
R
C
+
V
CC
2
1
R
S
R
B2
u
R
E
s
+
C
E
(设U
=0.6V);
BQ CQ
CC
CEQ
BEQ
画出放大电路的微变等效电路;
3.求电压放大倍数A,源电压放大倍数A,
3
u us
输入电阻R,输出电阻R 。
i o
R
L
五.(10分)在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为
±12V。
1 2 3试说明A、A、A
1 2 3
1 2 3A、A、A
1 2 3
O1 O2 O3若输入为1V的直流电压,则各输出端u 、u 、u
O1 O2 O
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