半导体设备系列报告之光刻机：走进“芯”时代系列深度之八十四“光刻机”，国产路漫其修远，中国芯上下求索.pdf

目目录录

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0光刻：集成电路制造核心环节

2技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促

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光刻产业升级

3市场：一超两强格局稳定，新建晶圆厂+产线扩产拉动需求

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4破局：师夷长技以制夷，星星之火可燎原

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5相关标的

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6风险提示

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请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明4

分目录

1光刻：集成电路制造核心环节

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•1.1光刻三剑客：光刻机+光刻胶+光掩膜•1.5集成电路制造流程

•1.2光刻机：通过光源将光掩膜上图形投射于硅片•1.6集成电路制造资本开支结构

•1.3光刻胶：在曝光区发生光固化反应•1.7光刻工艺：各步骤环环相扣，光刻机代表产线先进程度

•1.4光掩膜：图形转移工具或母版•1.8发展历程：投影光刻机为当前IC制造主流选择

2技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级

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•2.1分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定•2.2.3核心技术（EUV光源）：LLP光源较为稳定，且碎屑

•2.2光源波长（λ）——光源量较低，适用于大规模量产

•2.2.1原理：其他条件不变下，光源波长越短，光刻机分•2.2.3核心技术（EUV光源）：高功率、转换效率为EUV光

辨率越高刻必要条件

•2.2.2发展：高压汞灯光刻光源→深紫外光光源→极紫外•2.2.3核心技术（EUV光源）：液滴Sn靶易于操控，转换效

光光源率较高

请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明5

分目录

2技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级

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•2.2.3核心技术（EUV光源）：加入预脉冲可以极大提高CE，•2.3.2路径（投影方式）：折反式使用较少光学元件实现

双脉冲成为主流更大数值孔径并实现场曲矫正

•2.2.4现状：Cymer与Gigphoton几乎垄断全球激光光刻机•2.3.2路径（像方介质折射率）：浸没式光刻提供更大焦

光源产业，科益虹源弥补技术空白深并支持高NA成像

•2.2.5趋势：输出功率、脉冲能量整体呈现上升趋势，光•2.3.3制造：物镜加工精度确保光线高精度聚焦

谱线宽呈现收窄趋势•2.3.4现状：高端光学元件超精密制造技术及装备成为制

•2.2.6弯道超车：稳态微聚束(SSMB)为极紫外光的产生提约高端装备制造业发展重大短板

供新方法•2.4工艺系数——计算光刻技术

•2.3数值孔径（NA）——物镜•2.4.1光学邻近效应校正（OPC）：对掩膜图形进行预畸

•2.3.1原理：其他条件不变下，数值孔径越大，光刻机分变处理，补偿光学邻近效应误差

辨率越高•2.4.2光源-掩膜协同优化技术