MCM封装完整版本.pptVIP

关于垂直互连垂直互连是指设计三维模块中以某种形式的技术实现的电源、接地及层间信号时所需的互连。

垂直互连的类型1、叠层IC间的外围互连

2、叠层IC之间的区域互连

3、叠层MCM之间的外围互连

4、叠层MCM之间的区域互连

结构类型三维封装的垂直互连技术目前有三种：

一、埋置型。3D-MCM。特点是在多层基板的底层埋置IC芯片,再在多层布线顶层组装IC芯片,其间通过多层布线进行高密度连接,基板多用硅或其他高导热基板(AlN、Al等)；

二、有源基板型。特点是在基板(通常为Si或GaAs)上直接制作多种数字半导体集成电路,再在其上制作多层布线,然后在多层布线顶层组装模拟IC芯片和集成传感器芯片、光电子功能芯片等；

三、3D-MCM:即把多个二维封装实行叠装、互连，把2D封装组装成3D封装结构。特点是将多块组装有IC芯片(可单、双面组装)的多层布线基板进行叠装、互连。3D技术的优越性和局限性谢谢MCM封装

三维封装技术一、相关的中英文缩略语TAB(TapeAutomatedBonding)载带自动焊技术MCM(MultichipModule)多芯片组件封装SMT(SurfaceMountPackage)表面封装技术TCM(ThermalConductionmodule)热传导组件C4(Controlledcollapsedchipconnection)可控塌陷芯片连接技术关于MCM1、产生背景及由来随着便携式电子系统复杂性的增加，对VLSI集成电路的低功率、轻型及小型封装的生产技术突出了越来越高的要求。同样，许多航空和军事应用也正在朝该方向发展。为了满足这些要求，在MCMX、Y平面内的二维封装基础上，将裸芯片沿z轴层叠在一起，这样，在小型化方面就取得了极大地改进。同时，由于Z平面技术总互连长度更短，降低寄生性的电容、电感，因而系统功耗约可降低30%。2、思想追溯无论采用何种封装技术后的裸芯片，在封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。于是人们对传统的混合集成电路（HIC）进行彻底的改变．提出了多芯片组（MultichipModule，即ＭＣＭ）这种先进的封装模式。它把几块ＩＣ芯片或ＣＳＰ组装在一块电路板上，构成功能电路板，就是多芯片组件。这一技术一美国IBM公司在1980年初七开发的热传导组件（TCM）为著名例子。3、什么是MCM封装技术MCM(multi-chipmodule)：多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。MCM是在混合集成电路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并没有本质的区别，只不过MCM具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说MCM属于高级混合集成电路产品。4、MCM封装技术MCM技术可概括为：多层互连基板的制作（SubstrateFabrication）与芯片连接（ChipInterconnection）两大技术部分。芯片连接可以用打线键合、TAB或C4等技术完成；基板可以陶瓷、金属及高分子材料，利用厚膜、薄膜、或多层陶瓷共烧等技术制成多层互连结构。多层互连基板的制作(Substratefabrication)多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片(Pregpr’eg)交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。1990年曰本IBM公司公布了用感光树脂作绝缘层的积层法多层板新技术，1997年，包括积层多层板在内的高密度互连的多层板技术走向发展成熟期。与此同时，以BGA、CSP为典型代表的塑料封装基板有了迅猛的发展。20世纪90年代后期，一些不含溴、锑的绿色阻燃等新型基板迅速兴起，走向市场。

MCM的分类根据所用多层布线基板的类型不同，MCM可分为:叠层多芯片组件（MCM-L）陶瓷多芯片组件（MCM-C）淀积多芯片组件（MCM-D）混合多芯片组件（MCM–C/D）等。MCM-C,MCM-L,MCM-D的比较MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。