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ICS31.080.01CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/T4937.35—2024/IEC60749-35:2006

半导体器件机械和气候试验方法

第35部分:塑封电子元器件的

声学显微镜检查

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part35:Acousticmicroscopyforplasticencapsulatedelectroniccomponents

(IEC60749-35:2006,IDT)

2024-03-15发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

GB/T4937.35—2024/IEC60749-35:2006

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》的第35部分。GB/T4937已经发布了

以下部分:

—第1部分:总则;

—第2部分:低气压;

—第3部分:外部目检;

—第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);—第11部分:快速温度变化双液槽法;

—第12部分:扫频振动;—第13部分:盐雾;

—第14部分:引出端强度(引线牢固性);—第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;—第17部分:中子辐照;

—第18部分:电离辐射(总剂量);—第19部分:芯片剪切强度;

—第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;

—第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;—第21部分:可焊性;

—第22部分:键合强度;

—第23部分:高温工作寿命;

—第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM);—第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM);—第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;

—第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);—第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);—第34部分:功率循环;

—第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查;—第42部分:温湿度贮存。

本文件等同采用IEC60749-35:2006《半导体器件机械和气候试验方法第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查》。

本文件增加了“规范性引用文件”一章,其后章条号顺延。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。本文件主要起草人:裴选、赵海龙、彭浩、尹丽晶。

GB/T4937.35—2024/IEC60749-35:2006

引言

半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准,对于评价和考核半导体器件的质量和可靠性起着重要作用,拟由44个部分构成。

—第1部分:总则。目的在于规定半导体器件机械和气候试验方法的通用准则。—第2部分:低气压。目的在于检测元器件和材料避免电击穿失效的能力。

—第3部分:外部目检。目的在于检测半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合采购文件的要求。

—第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)。目的在于规定强加速稳态湿热试验(HAST),以检测非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性。

—第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验。目的在于规定稳态温湿度偏置寿命试验,以检测非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性。

—第6部分:高温贮存。目的在于在不施加电应力条件下,检测高温贮存对半导体器件的影响。

—第7部分:内部水汽测量和其他残余气体分析。目的在于检测封装过程的质量,并提供有关气体在管壳内的长期化学稳定性的信息。

—第8部分:密封。目的在于检测半导体器件的漏率。

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