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2024-07-26 发布于北京
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离子注入介绍.pptx

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;1;概述;概述;离子注入工艺及原理;离子注入工艺及原理;离子注入机原理示意图;离子源：用于离化杂质的容器。

质量分析器：不同的离子具有不同的荷质比，因而在质量分析器的磁场中的偏转角度不同，由此可分离出所需的离子，且纯度很高

加速器：高压静电场，用于加速离子

中性束偏移器：利用偏移电极和偏移角度分离中性原子

聚焦系统：将离子束聚焦为数毫米的离子束

偏转扫描系统：使离子束沿x,y方向扫描

工作室（靶室）：放置样品的地方;作用：产生所需种类的离子并将其引出形成离子束

分类：等离子体型离子源、液态金属离子源（LMIS）;这里的等离子体指的是部分电离的气体，等离子体的密度，压力，温度等物理量与普通气体相同，正负电荷数相等，宏观上为电中性，但其电学特性发生了巨大变化，成为一种电导率很高的流体。;液态金属离子源（LMIS）;液态金属离子源（LMIS）;共晶合金LMIS;LMIS的主要技术参数;质量分析器——E×B质量分析器;对于荷质比为所需的离子，可以通过调节偏转电压Vf或者偏转磁场B，使之满足下式，就可使这种离子不被偏转而通过光阑;该离子在受力区域（0~Lf）内的运动方程为：;为屏蔽荷质比qs的离子，光阑半径D必须满足：;Fm为向心力，离子做圆周运动，圆周半径为r：;产生高压静电场，用来对离子加速。该加速能量是决定离子注入深度的一个重要参量，一般需要1e-6Torr的真空环境;;;;;;;;;;;;谢谢